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氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用
材料合成及性能 | 更新时间:2024-07-10
    • 氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用

      增强出版
    • Optical Properties of InP/GaP/ZnS Quantum Dots Processed with Hydrofluoric Acid and Their Application in Light Emitting Diodes

    • 最新研究揭示,采用氢氟酸原位注入法制备的InP/GaP/ZnS量子点,通过HF刻蚀显著提升其光学性能,实现高达96%的光致发光量子产率,为发光二极管领域带来突破性进展。
    • 发光学报   2024年45卷第1期 页码:69-77
    • DOI:10.37188/CJL.20230243    

      中图分类号: O482.31;TN312.8
    • 纸质出版日期:2024-01-05

      收稿日期:2023-10-16

      修回日期:2023-10-30

    扫 描 看 全 文

  • 陈晓丽,陈佩丽,卢思等.氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用[J].发光学报,2024,45(01):69-77. DOI: 10.37188/CJL.20230243.

    CHEN Xiaoli,CHEN Peili,LU Si,et al.Optical Properties of InP/GaP/ZnS Quantum Dots Processed with Hydrofluoric Acid and Their Application in Light Emitting Diodes[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(01):69-77. DOI: 10.37188/CJL.20230243.

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