氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用

陈晓丽; 陈佩丽; 卢思; 朱艳青; 徐雪青; 苏秋成

doi:10.37188/CJL.20230243

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氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用

材料合成及性能 | 更新时间：2024-07-10

- 氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用
  增强出版
- Optical Properties of InP/GaP/ZnS Quantum Dots Processed with Hydrofluoric Acid and Their Application in Light Emitting Diodes
- “最新研究揭示，采用氢氟酸原位注入法制备的InP/GaP/ZnS量子点，通过HF刻蚀显著提升其光学性能，实现高达96%的光致发光量子产率，为发光二极管领域带来突破性进展。”
  
  ”
- 发光学报 2024年45卷第1期页码：69-77
- 作者机构：
  
  中国科学院广州能源研究所，广东广州　510640
- 作者简介：
  
  [ "陈晓丽（1978-），女，河北衡水人，博士，高级工程师，2007年于中山大学获得博士学位，主要从事材料性能的研究。E-mail: chenxl@ms. giec. ac. cn " ]
  [ "朱艳青（1983-），女，山东聊城人，博士，助理研究员，2017年于中国科学院大学获得博士学位，主要从事量子点发光材料及其器件的研究。E-mail： zhuyq@ms. giec. ac. cn " ]
- 基金信息：
  
  广东省基金与应用基础研究基金项目(2023A1515010345);广东省省级科技计划项目(2023A0505010003);中国科学院技术支撑人才项目(E329850301)
- DOI：10.37188/CJL.20230243
  中图分类号： O482.31;TN312.8
- 纸质出版日期：2024-01-05，
  
  收稿日期：2023-10-16，
  
  修回日期：2023-10-30，
- 稿件说明：
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陈晓丽,陈佩丽,卢思等.氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用[J].发光学报,2024,45(01):69-77.

CHEN Xiaoli,CHEN Peili,LU Si,et al.Optical Properties of InP/GaP/ZnS Quantum Dots Processed with Hydrofluoric Acid and Their Application in Light Emitting Diodes[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(01):69-77.
陈晓丽,陈佩丽,卢思等.氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用[J].发光学报,2024,45(01):69-77. DOI： 10.37188/CJL.20230243.

CHEN Xiaoli,CHEN Peili,LU Si,et al.Optical Properties of InP/GaP/ZnS Quantum Dots Processed with Hydrofluoric Acid and Their Application in Light Emitting Diodes[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(01):69-77. DOI： 10.37188/CJL.20230243.

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DOI：10.37188/CJL.20230243