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交流驱动无电学接触GaN基Micro⁃LED器件光电特性
器件制备及器件物理 | 更新时间:2024-01-05
    • 交流驱动无电学接触GaN基Micro⁃LED器件光电特性

      增强出版
    • Photoelectric Characteristics of AC-driven Non-electrical Contact GaN-based Micro-LED Device

    • 发光学报   2023年44卷第12期 页码:2242-2249
    • DOI:10.37188/CJL.20230234    

      中图分类号: TN303;TN304.2
    • 纸质出版日期:2023-12-05

      收稿日期:2023-10-09

      修回日期:2023-10-24

    扫 描 看 全 文

  • 郭韫韵,翁书臣,邹振游等.交流驱动无电学接触GaN基Micro⁃LED器件光电特性[J].发光学报,2023,44(12):2242-2249. DOI: 10.37188/CJL.20230234.

    GUO Yunyun,WENG Shuchen,ZOU Zhenyou,et al.Photoelectric Characteristics of AC-driven Non-electrical Contact GaN-based Micro-LED Device[J].Chinese Journal of Luminescence,2023,44(12):2242-2249. DOI: 10.37188/CJL.20230234.

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