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基于膦氧化物钝化的热蒸发像素化钙钛矿发光二极管
封面文章 | 更新时间:2024-07-10
    • 基于膦氧化物钝化的热蒸发像素化钙钛矿发光二极管

      增强出版
    • Patterned Vapor Deposited Perovskite Light Emitting Diodes via Phosphine Oxide Passivation

    • Researchers have made significant progress in the field of perovskite light-emitting diodes (PeLEDs), introducing an in-situ co-evaporation technique to passivate grain boundary defects and suppress trap states, thereby enhancing the photoluminescence quantum yield. This method offers a solution to improve the efficiency and brightness of thermal-evaporated PeLEDs, laying a foundation for their commercial prospects.
    • 发光学报   2024年45卷第1期 页码:1-10
    • DOI:10.37188/CJL.20230231    

      中图分类号: TN312.8
    • 纸质出版日期:2024-01-05

      收稿日期:2023-10-08

      修回日期:2023-10-23

    扫 描 看 全 文

  • 刘念,罗家俊,杜培培等.基于膦氧化物钝化的热蒸发像素化钙钛矿发光二极管[J].发光学报,2024,45(01):1-10. DOI: 10.37188/CJL.20230231.

    LIU Nian,LUO Jiajun,DU Peipei,et al.Patterned Vapor Deposited Perovskite Light Emitting Diodes via Phosphine Oxide Passivation[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(01):1-10. DOI: 10.37188/CJL.20230231.

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