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GaAs插入层对InGaAs/AlGaAs量子阱发光性质的影响
材料合成及性能 | 更新时间:2023-11-27
    • GaAs插入层对InGaAs/AlGaAs量子阱发光性质的影响

    • Effect of GaAs Insertion Layer on Luminescence Properties of InGaAs/AlGaAs Quantum Wells

    • 发光学报   2023年44卷第11期 页码:1967-1973
    • DOI:10.37188/CJL.20230202    

      中图分类号: TN304.2
    • 纸质出版日期:2023-11-05

      收稿日期:2023-09-06

      修回日期:2023-09-21

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  • 于海鑫,王海珠,郎天宇等.GaAs插入层对InGaAs/AlGaAs量子阱发光性质的影响[J].发光学报,2023,44(11):1967-1973. DOI: 10.37188/CJL.20230202.

    YU Haixin,WANG Haizhu,LANG Tianyu,et al.Effect of GaAs Insertion Layer on Luminescence Properties of InGaAs/AlGaAs Quantum Wells[J].Chinese Journal of Luminescence,2023,44(11):1967-1973. DOI: 10.37188/CJL.20230202.

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