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AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性
发光产业及技术前沿 | 更新时间:2023-06-15
    • AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性

      增强出版
    • Ohmic Contact Characteristics of AlGaN-based Deep-ultraviolet Light-emitting-diodes with NiAu Transparent Electrode

    • 发光学报   2023年44卷第5期 页码:898-903
    • DOI:10.37188/CJL.20220385    

      中图分类号: TN312.8
    • 纸质出版日期:2023-05-05

      收稿日期:2022-11-07

      修回日期:2022-11-25

    移动端阅览

  • 王雪, 刘乃鑫, 王兵, 等. AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性[J]. 发光学报, 2023,44(5):898-903. DOI: 10.37188/CJL.20220385.

    WANG XUE, LIU NAIXIN, WANG BING, et al. Ohmic Contact Characteristics of AlGaN-based Deep-ultraviolet Light-emitting-diodes with NiAu Transparent Electrode. [J]. Chinese journal of luminescence, 2023, 44(5): 898-903. DOI: 10.37188/CJL.20220385.

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相关作者

王雪
刘乃鑫
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相关机构

山西中科潞安紫外光电科技有限公司
中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所
武汉大学 生命科学学院
北京大学 第三医院
安徽工程大学 高端装备先进感知与智能控制教育部重点实验室
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