2D/3D混合Sn基钙钛矿/SnO<sub>2</sub>异质结光探测器

苏子生; 张璐; 胡跃; 姚广平; 王丽丹

doi:10.37188/CJL.20220107

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2D/3D混合Sn基钙钛矿/SnO₂异质结光探测器

器件制备及器件物理 | 更新时间：2022-08-01

- 2D/3D混合Sn基钙钛矿/SnO₂异质结光探测器
  增强出版
- Photodetectors Based on A 2D/3D Hybrid Tin Perovskite/SnO₂Heterojunction
- 发光学报 2022年43卷第7期页码：1121-1129
- 作者机构：
  
  1.泉州师范学院物理与信息工程学院福建省先进微纳光子技术与器件重点实验室，福建泉州　362000
  2.泉州师范学院化工与材料学院，福建泉州　362000
- 作者简介：
  
  [ "苏子生（1981-），男，福建闽清人，博士，教授，2009年于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所获得博士学位，主要从事有机光电材料与器件的研究。Email: suzs@qztc. edu. cn" ]
  [ "王丽丹（1981-），女，吉林省吉林市人，博士，副教授，2011年于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所获得博士学位，主要从事纳米半导体材料与器件的研究。" ]
- 基金信息：
  
  福建省自然科学基金面上项目(2019J01729;2020J01778);泉州市科技计划(2020C025R)
- DOI：10.37188/CJL.20220107
  中图分类号： O475.31;O482.7
- 收稿日期：2022-03-26，
  
  修回日期：2022-04-13，
  
  纸质出版日期：2022-07-05
- 稿件说明：
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苏子生,张璐,胡跃等.2D/3D混合Sn基钙钛矿/SnO₂异质结光探测器[J].发光学报,2022,43(07):1121-1129.

SU Zi-sheng,ZHANG Lu,HU Yue,et al.Photodetectors Based on A 2D/3D Hybrid Tin Perovskite/SnO₂Heterojunction[J].Chinese Journal of Luminescence,2022,43(07):1121-1129.
苏子生,张璐,胡跃等.2D/3D混合Sn基钙钛矿/SnO₂异质结光探测器[J].发光学报,2022,43(07):1121-1129. DOI： 10.37188/CJL.20220107.

SU Zi-sheng,ZHANG Lu,HU Yue,et al.Photodetectors Based on A 2D/3D Hybrid Tin Perovskite/SnO₂Heterojunction[J].Chinese Journal of Luminescence,2022,43(07):1121-1129. DOI： 10.37188/CJL.20220107.

摘要

制备了平面结构2D/3D混合钙钛矿（PEA）

0.15

0.85

SnI

/SnO

异质结光探测器。研究发现，SnO

薄膜的引入可以调控（PEA）

0.15

0.85

SnI

薄膜的晶体生长过程，有助于获得致密的连续薄膜。在520 nm单色光辐照下，器件的响应度高达3.19×10

A/W，相应的探测率为6.39×10

Jones。在808 nm单色光辐照下，器件的响应度和探测器率也可分别达到1.70×10

A/W和7.28×10

Jones。相关性能明显高于（PEA）

0.15

0.85

SnI

单层薄膜光探测器。器件性能的提高一方面是由于钙钛矿薄膜表面形貌的改善，提高了器件的吸收效率和载流子收集效率；另一方面是由于（PEA）

0.15

0.85

SnI

和SnO

之间形成了p⁃n结结构，从而有效提高了钙钛矿薄膜中的光生电子⁃空穴对的分离效率，降低了电子和空穴的复合几率。同时，（PEA）

0.15

0.85

SnI

/SnO

界面处特殊的能级结构也可诱导器件产生光电导增益。

Abstract

Planar structure photodetector based on a 2D/3D hybrid perovskite （PEA）

0.15

0.85

SnI

/SnO

heterojunction was constructed. It is found that the inserted SnO

layer can manipulate the crystal growth process of the （PEA）

0.15

0.85

SnI

film， benefiting to form a dense and continued film. Under illumination of a 520 nm monochromatic light， the device shows a high response of 3.19×10

A/W， corresponding to a detectivity of 6.39×10

Jones. While under illumination of an 808 nm monochromatic light， the device also shows a response of 1.70×10

A/W and a detectivity of 7.28×10

Jones. These performances are dramatically higher than that device based on a simple （PEA）

0.15

0.85

SnI

film.On the one hand， the improvements are attributed to the improved morphology of the perovskite film， which increases the absorption efficiency and charge carrier collection efficiency of the device；on the other hand， the formation of a p-n junction between （PEA）

0.15

0.85

SnI

and SnO

effectively increases the dissociation efficiency of the photogenerated electron-hole pairs in the perovskite and decreases the recombination probability of the electrons and holes. Moreover， the special electronic structure at the （PEA）

0.15

0.85

SnI

/SnO

interface may also trigger the device revealing a photoconduction gain.

关键词

Keywords

references

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