1.中国科学院半导体研究所 半导体照明研发中心,北京 100083
2.中国科学院大学 材料与光电研究中心,北京 100049
[ "郭亮(1996-),男,江西吉安人,硕士研究生,2018年于合肥工业大学获得学士学位,主要从事通信用深紫外LED的研究。E-mail: guoliang18@semi.ac.cn" ]
郭亮(1996-),男,江西吉安人,硕士研究生,2018年于合肥工业大学获得学士学位,主要从事通信用深紫外LED的研究。E-mail: guoliang18@semi.ac.cn
[ "魏同波(1978-),男,山东潍坊人,博士,研究员,2007年于中国科学院半导体研究所获得博士学位,主要从事宽禁带半导体材料生长及器件制备的研究。E-mail: tbwei@semi.ac.cn" ]
魏同波(1978-),男,山东潍坊人,博士,研究员,2007年于中国科学院半导体研究所获得博士学位,主要从事宽禁带半导体材料生长及器件制备的研究。E-mail: tbwei@semi.ac.cn
纸质出版日期:2022-01,
收稿日期:2021-10-25,
修回日期:2021-11-11,
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引用本文
郭亮, 郭亚楠, 羊建坤, 等. 量子垒高度对深紫外LED调制带宽的影响[J]. 发光学报, 2022, 43(1):1-7.
Liang GUO, Ya-nan GUO, Jian-kun YANG, et al. Effect of Barrier Height on Modulation Characteristics of AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-emitting Diodes[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2022, 43(1):1-7.
郭亮, 郭亚楠, 羊建坤, 等. 量子垒高度对深紫外LED调制带宽的影响[J]. 发光学报, 2022, 43(1):1-7. DOI: 10.37188/CJL.20210331.
Liang GUO, Ya-nan GUO, Jian-kun YANG, et al. Effect of Barrier Height on Modulation Characteristics of AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-emitting Diodes[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2022, 43(1):1-7. DOI: 10.37188/CJL.20210331.
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