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双电层氧化锌薄膜晶体管偏压应力稳定性
器件制备及器件物理 | 更新时间:2022-01-14
    • 双电层氧化锌薄膜晶体管偏压应力稳定性

      增强出版
    • Bias Stress Stability of Electric-double-layer ZnO Thin-film Transistor

    • 发光学报   2022年43卷第1期 页码:129-136
    • DOI:10.37188/CJL.20210324    

      中图分类号: TN321+.5
    • 纸质出版日期:2022-01

      收稿日期:2021-10-12

      修回日期:2021-10-27

    扫 描 看 全 文

  • 王聪, 刘玉荣, 彭强, 等. 双电层氧化锌薄膜晶体管偏压应力稳定性[J]. 发光学报, 2022,43(1):129-136. DOI: 10.37188/CJL.20210324.

    Cong WANG, Yu-rong LIU, Qiang PENG, et al. Bias Stress Stability of Electric-double-layer ZnO Thin-film Transistor[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2022,43(1):129-136. DOI: 10.37188/CJL.20210324.

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