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双电层氧化锌薄膜晶体管偏压应力稳定性
器件制备及器件物理 | 更新时间:2022-01-14
    • 双电层氧化锌薄膜晶体管偏压应力稳定性

      增强出版
    • Bias Stress Stability of Electric-double-layer ZnO Thin-film Transistor

    • 发光学报   2022年43卷第1期 页码:129-136
    • DOI:10.37188/CJL.20210324    

      中图分类号: TN321+.5
    • 收稿日期:2021-10-12

      修回日期:2021-10-27

      纸质出版日期:2022-01

    移动端阅览

  • 王聪, 刘玉荣, 彭强, 等. 双电层氧化锌薄膜晶体管偏压应力稳定性[J]. 发光学报, 2022,43(1):129-136. DOI: 10.37188/CJL.20210324.

    Cong WANG, Yu-rong LIU, Qiang PENG, et al. Bias Stress Stability of Electric-double-layer ZnO Thin-film Transistor[J]. Chinese journal of luminescence, 2022, 43(1): 129-136. DOI: 10.37188/CJL.20210324.

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相关作者

王聪
刘玉荣
彭强
黄荷
刘玉荣
黄荷
刘杰
张浩

相关机构

汕尾职业技术学院 海洋学院
华南理工大学 微电子学院
汕尾市海洋产业研究院 新能源材料与催化工程研究中心
华南理工大学 电子与信息学院
华南理工大学 广东省短距离无线探测与通信重点实验室
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