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带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管
器件制备及器件物理 | 更新时间:2022-01-14
    • 带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管

      增强出版
    • High Performance InGaAs/AlGaAs Quantum Well Semiconductor Laser Diode with Non-absorption Window

    • 发光学报   2022年43卷第1期 页码:110-118
    • DOI:10.37188/CJL.20210306    

      中图分类号: TP248.4;TH314+.3
    • 纸质出版日期:2022-01

      收稿日期:2021-09-22

      修回日期:2021-10-11

    扫 描 看 全 文

  • 刘翠翠, 林楠, 马骁宇, 等. 带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管[J]. 发光学报, 2022,43(1):110-118. DOI: 10.37188/CJL.20210306.

    Cui-cui LIU, Nan LIN, Xiao-yu MA, et al. High Performance InGaAs/AlGaAs Quantum Well Semiconductor Laser Diode with Non-absorption Window[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2022,43(1):110-118. DOI: 10.37188/CJL.20210306.

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