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Pd/p-GaN欧姆接触退化机理
发光产业及技术前沿 | 更新时间:2021-07-22
    • Pd/p-GaN欧姆接触退化机理

    • Degradation Mechanism of Pd/p-GaN Ohmic Contacts

    • 发光学报   2021年42卷第7期 页码:1065-1073
    • DOI:10.37188/CJL.20210092    

      中图分类号: O482.31
    • 纸质出版日期:2021-07-01

      收稿日期:2021-03-16

      修回日期:2021-04-04

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  • 张帆, 王荣新, 黄思溢, 等. Pd/p-GaN欧姆接触退化机理[J]. 发光学报, 2021,42(7):1065-1073. DOI: 10.37188/CJL.20210092.

    Fan ZHANG, Rong-xin WANG, Si-yi HUANG, et al. Degradation Mechanism of Pd/p-GaN Ohmic Contacts[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2021,42(7):1065-1073. DOI: 10.37188/CJL.20210092.

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相关作者

张帆
王荣新
黄思溢
田爱琴
刘建平
杨辉
许留洋
高欣

相关机构

中国科学院苏州纳米仿生与纳米技术研究所,纳米真空互联实验平台
上海科技大学,物质科学与技术学院
中国科学院苏州纳米仿生与纳米技术研究所,纳米器件与相关材料研究部
长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室
电子科技大学中山学院 电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室
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