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具有高光开关比和高响应度的单根In2O3纳米线紫外光电晶体管
器件制备及器件物理 | 更新时间:2021-02-08
    • 具有高光开关比和高响应度的单根In2O3纳米线紫外光电晶体管

    • Single In2O3 Nanowire Ultraviolet Phototransistor with High Optical On-off Ratio and High Responsivity

    • 发光学报   2021年42卷第2期 页码:208-214
    • DOI:10.37188/CJL.20200376    

      中图分类号: O472.8
    • 纸质出版日期:2021-2

      收稿日期:2020-12-8

      录用日期:2020-12-28

    扫 描 看 全 文

  • 陈雪, 魏志鹏. 具有高光开关比和高响应度的单根In2O3纳米线紫外光电晶体管[J]. 发光学报, 2021,42(2):208-214. DOI: 10.37188/CJL.20200376.

    Xue CHEN, Zhi-peng WEI. Single In2O3 Nanowire Ultraviolet Phototransistor with High Optical On-off Ratio and High Responsivity[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2021,42(2):208-214. DOI: 10.37188/CJL.20200376.

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相关作者

陈雪
魏志鹏
赵曼
段雨晗
蒋大勇
周赢武
余华梁
王建彬

相关机构

长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室
光电功能材料教育部工程研究中心
长春理工大学 材料科学与工程学院
重庆邮电大学 光电工程学院
闽江学院 物理与电子信息工程学院
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