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二维WSe2场效应晶体管光电性能
器件制备及器件物理 | 更新时间:2021-02-08
    • 二维WSe2场效应晶体管光电性能

    • Optoelectronic Performance of 2D WSe2 Field Effect Transistor

    • 发光学报   2021年42卷第2期 页码:257-263
    • DOI:10.37188/CJL.20200374    

      中图分类号: TN386
    • 纸质出版日期:2021-2

      收稿日期:2020-12-7

      录用日期:2021-1-4

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  • 夏风梁, 石凯熙, 赵东旭, 等. 二维WSe2场效应晶体管光电性能[J]. 发光学报, 2021,42(2):257-263. DOI: 10.37188/CJL.20200374.

    Feng-liang XIA, Kai-xi SHI, Dong-xu ZHAO, et al. Optoelectronic Performance of 2D WSe2 Field Effect Transistor[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2021,42(2):257-263. DOI: 10.37188/CJL.20200374.

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