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基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列
器件制备及器件物理 | 更新时间:2021-02-08
    • 基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列

    • InGaN-based Lateral-structured Micro-LED Array Fabricated by Ion Implantation

    • 发光学报   2021年42卷第2期 页码:215-222
    • DOI:10.37188/CJL.20200355    

      中图分类号:

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  • 谭毅, 庄永漳, 卢子元, 等. 基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列[J]. 发光学报, 2021,42(2):215-222. DOI: 10.37188/CJL.20200355.

    Yi TAN, Wing-cheung CHONG, Zi-yuan LU, et al. InGaN-based Lateral-structured Micro-LED Array Fabricated by Ion Implantation[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2021,42(2):215-222. DOI: 10.37188/CJL.20200355.

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