快速热退火对Co/Si0.85Ge0.15肖特基结电学特性的影响

王光伟; 姚素英; 肖夏; 徐文慧

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快速热退火对Co/Si_0.85Ge_0.15肖特基结电学特性的影响

器件制备及器件物理 | 更新时间：2020-08-12

- 快速热退火对Co/Si_0.85Ge_0.15肖特基结电学特性的影响
- Effects of Rapid Thermal Annealing on The Physical and Electrical Properties of Co/Sputtered-Si_1-xGe_x Schottky Junction
- 发光学报 2011年32卷第9期页码：924-928
- 作者机构：
  
  1. 天津大学电信学院
  2. 天津职业技术师范大学电子工程学院, 天津 300222
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O472.4
- 收稿：2011-02-17，
  
  修回：2011-3-24，
  
  网络首发：2011-09-22，
  
  纸质出版：2011-09-22
- 稿件说明：
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王光伟, 姚素英, 肖夏, 徐文慧. 快速热退火对Co/Si0.85Ge0.15肖特基结电学特性的影响[J]. 发光学报, 2011,32(9): 924-928

WANG Guang-wei, YAO Su-ying, XIAO Xia, XU Wen-hui. Effects of Rapid Thermal Annealing on The Physical and Electrical Properties of Co/Sputtered-Si1-xGex Schottky Junction[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011,32(9): 924-928
王光伟, 姚素英, 肖夏, 徐文慧. 快速热退火对Co/Si0.85Ge0.15肖特基结电学特性的影响[J]. 发光学报, 2011,32(9): 924-928 DOI：

WANG Guang-wei, YAO Su-ying, XIAO Xia, XU Wen-hui. Effects of Rapid Thermal Annealing on The Physical and Electrical Properties of Co/Sputtered-Si1-xGex Schottky Junction[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011,32(9): 924-928 DOI：

摘要

用离子束溅射技术分别在SiO

和单晶Si衬底上沉积了Si

和Co薄膜。在不同温度下

对Co/Si

肖特基结进行快速热退火处理(RTA)

对处理后的样品进行了表面形貌和电学测量。发现退火温度升高

样品表面粗糙度变大

理想因子也变大

但对肖特基势垒高度(SBH)的影响很小。分析认为

随着退火温度的升高

金属/半导体界面缺陷态密度的增加是造成理想因子变大的主要原因。界面态对费米能级的

quot;钉扎

quot;以及固相反应生成锗硅化钴与Co的功函数大致相同

是SBH基本不随温度变化的主要因素。

Abstract

paper

关键词

Keywords

references

Cressler J D, Comfort J H, Grabbe E F, et al. On the profile design and optimization of epitaxial Si and SiGe-base bipolar technology for 77 K applications.Ⅰ . Transistor DC design considerations [J]. IEEE Trans. Electr. Dev., 1993, 40 (3):525-541.[2] Sakaran V, Hinckley J M, Singh J. Theoretical small-signal performance of Si/SiGe/Si HBT [J]. IEEE Trans. Electr. Dev., 1993, 40 (9):1589-1596.[3] Murtaza S S, Quian R, Kinosky D, et al. Room-temperature measurements of strong electroabsorption effect in GexSi1-x/Si multiple quantum wells grown by remote plasma-enhanced chemical vapor deposition [J]. Appl. Phys. Lett., 1993, 62 (16):1976-1978.[4] People R, Bean J C, Batha C G, et al. Broadband (8~14 μm), normal incidence, pseudomorphic GexSi1-x/Si strained-layer infrared photodetector operating between 20 and 77 K [J]. Appl. Phys. Lett., 1993, 61 (9):1122-1124.[5] He Yuliang, Ding Jianning, Peng Yingcai, et al. Novel aspects of silicon thin film solar cells [J]. Chin. J. Phys. (物理), 2008, 37 (12):862-869 (in Chinese).[6] Chang T K, Chu F T, Lin C W, et al. A novel germanium doping method for fabrication of high-performance P-channel poly-Si1-xGex TFT by excimer laser crystallization [J]. IEEE Electr. Dev. Lett., 2003, 24 (4):233-235.[7] Chen X Y, Johansen J A, Salm C, et al. On low-frequency noise of polycrystalline GexSi1-x for sub-micron CMOS techno-logies [J]. Solid-State Electronics, 2001, 45 (11):1967-1971.[8] Jiang R L, Liu J L, Li J, et al. Properties of Schottky contact of Al on SiGe alloys [J]. Appl. Phys. Lett., 1996, 68 (8):1123-1125.[9] Zang Xia, Liu Yuzhen, Kang Chaoyang, et al. Effects of annealing atmosphere and temperature on the structure and photoluminescence of ZnO films prepared by pulsed laser deposition [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2010, 31 (5):613-617 (in Chinese).[10] Jelenkovic E V, Tong K Y, Cheung W Y, et al. Low temperature doping of poly-SiGe films with boron by co-sputtering [J]. Thin Solid Films, 2000, 368 (1):55-60.[11] Balslev I, Lawaetz P. On the interpretation of the observed hole mass shift with uniaxial stress in silicon [J]. Phys. Lett., 1965, 19 (1):6-7.[12] Sullivan J P, Tung R T, Eaglesham D J, et al. Giant variation in Schottky barrier height observed in the Co/Si system [J]. J. Vac. Sci. Techn. B, 1993, 11 (4):1564-1570.

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