C-mount封装不同激光器芯片尺寸的热阻分析

马祥柱; 霍晋; 曲轶; 杜石磊; 王宇

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C-mount封装不同激光器芯片尺寸的热阻分析

器件制备及器件物理 | 更新时间：2020-08-12

- C-mount封装不同激光器芯片尺寸的热阻分析
- Thermal-resistor Analysis of The Laser Chips with Different Size in C-mount Package
- 发光学报 2011年32卷第2期页码：184-187
- 作者机构：
  
  1. 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
  2. 海特光电有限责任公司
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(60976044)资助项目()
- DOI：
  中图分类号： TN248.4
- 收稿：2010-06-30，
  
  修回：2010-9-21，
  
  网络首发：2011-02-22，
  
  纸质出版：2011-02-22
- 稿件说明：
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马祥柱, 霍晋, 曲轶, 杜石磊, 王宇. C-mount封装不同激光器芯片尺寸的热阻分析[J]. 发光学报, 2011,32(2): 184-187

MA Xiang-zhu, HUO Jin, QU Yi, DU Shi-lei, WANG Yu. Thermal-resistor Analysis of The Laser Chips with Different Size in C-mount Package[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011,32(2): 184-187
马祥柱, 霍晋, 曲轶, 杜石磊, 王宇. C-mount封装不同激光器芯片尺寸的热阻分析[J]. 发光学报, 2011,32(2): 184-187 DOI：

MA Xiang-zhu, HUO Jin, QU Yi, DU Shi-lei, WANG Yu. Thermal-resistor Analysis of The Laser Chips with Different Size in C-mount Package[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011,32(2): 184-187 DOI：

摘要

采用波长漂移法对基于C-mount封装类型的不同尺寸芯片的热阻进行测量

得到了使热阻最小的最佳芯片尺寸和铟焊料厚度。测量结果表明

在铟焊料厚度为10 μm、输出功率为2 W、条宽为200 μm、腔长为2 000 μm时

激光器芯片的热阻最小值为2.01 ℃/W。在铟焊料厚度为5 μm和10 μm两种条件下

对腔长为2 000 μm的不同条宽的激光器芯片的热阻进行了测量

在铟焊料厚度为5 μm时

激光器芯片的热阻由原来的2.01 ℃/W降到了1.85 ℃/W。

Abstract

paper

关键词

Keywords

references

Wang Hui, Wang Dehong. Thermal analysis of the semiconductor lasers welding [J]. Micronanoelectronic Technology (微纳电子技术), 2008, 45 (7):428-431 (in Chinese).[2] Ma Qiang, Tian Zhenhua, Wang Zhenfu, et al. A theoretical model of high powe VCSEL based on the thermal-offset-current [J]. Chin. J. Lumin.(发光学报), 2010, 30 (4):463-466 (in Chinese).[3] Ishikawa H, Fujiwara T, Fukiwara K, et al. Accelerated aging test of Ga1-xAlxAs DH lasers [J]. J. Appl. Phys., 1979, 50 (4):2518-2522.[4] Cao Yulian, Wang Le, Liao Xinsheng, et al. Reliability of high-power semiconductor laser diodes [J]. Chin. J. Lumin.(发光学报), 2003, 20 (1):100-102 (in Chinese).[5] Hou Lifeng, Zhong Gang, Zhao Yingjie, et al. High-power VCSEL with radial brigde electrodes [J]. Acta Photonica Sinica (光子学报), 2010, 39 (1):1-5 (in Chinese).[6] Park J, Lee C C. An electrical method with junction temperature for light-emitting diodes and the impact on conversion efficiency [J]. IEEE Electron Device Lett., 2005, 26 (9):308-310.[7] Jiang Jianping.Semiconductor Lasers [M]. Beijing: Publishing House of Electronics Industry, 2000:91-92.[8] Kang Junjian, Wang Dacheng, Su Meikai, et al. Study on the continuous testing system of LD [J]. Laser Jounral (激光杂志), 2002, 23 (6):28-29 (in Chinese).

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