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射频磁控溅射法制备的Eu掺杂ZnO 薄膜的结构及其发光性质
材料合成及性能研究 | 更新时间:2020-08-12
    • 射频磁控溅射法制备的Eu掺杂ZnO 薄膜的结构及其发光性质

    • Structural and Photoluminescence Properties of Eu-doped ZnO Thin Films Grown by RF Magnetron Sputtering

    • 发光学报   2011年32卷第10期 页码:1004-1008
    • 中图分类号: O484.1;O482.31
    • 收稿:2011-04-06,

      修回:2011-6-30,

      网络首发:2011-10-22,

      纸质出版:2011-10-22

    移动端阅览

  • 高振杰, 杨元政, 谢致薇, 王彦利. 射频磁控溅射法制备的Eu掺杂ZnO 薄膜的结构及其发光性质[J]. 发光学报, 2011,32(10): 1004-1008 DOI:

    GAO Zhen-jie, YANG Yuan-zheng, XIE Zhi-wei, WANG Yan-li. Structural and Photoluminescence Properties of Eu-doped ZnO Thin Films Grown by RF Magnetron Sputtering[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011,32(10): 1004-1008 DOI:

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山东大学, 物理与微电子学院
河北大学 物理科学与技术学院
湖南大学 材料科学与工程学院
中国科学院上海光学精密机械研究所 先进激光与光电功能材料部
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