掺铕钼酸钆荧光粉的制备与发光性能分析

冯文林; 李铁; 陈志; 张盈; 曾超; 杨蕾

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掺铕钼酸钆荧光粉的制备与发光性能分析

材料合成及性能研究 | 更新时间：2020-08-12

- 掺铕钼酸钆荧光粉的制备与发光性能分析
- Synthesis and Luminescent Properties of Eu³⁺ Doped Ga₂(MoO₄)₃ Phosphors
- 发光学报 2011年32卷第11期页码：1143-1146
- 作者机构：
  
  1. 重庆理工大学光电信息学院, 重庆 400054
  2. 重庆理工大学化工学院
  3. 重庆大学光电工程学院
  4. 中国科学院国际材料物理中心
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  中国博士后基金(20100470811);重庆市科委项目(cstcjjA50005);重庆理工大学科研创新团队项目资助
- DOI：
  中图分类号： O482.31
- 收稿：2011-07-28，
  
  修回：2011-8-24，
  
  网络首发：2011-11-22，
  
  纸质出版：2011-11-22
- 稿件说明：
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冯文林, 李铁, 陈志, 张盈, 曾超, 杨蕾. 掺铕钼酸钆荧光粉的制备与发光性能分析[J]. 发光学报, 2011,32(11): 1143-1146

FENG Wen-lin, LI Tie, CHEN Zhi, ZHANG Yin, ZENG Cao, YANG Lei. Synthesis and Luminescent Properties of Eu3+ Doped Ga2(MoO4)3 Phosphors[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011,32(11): 1143-1146
冯文林, 李铁, 陈志, 张盈, 曾超, 杨蕾. 掺铕钼酸钆荧光粉的制备与发光性能分析[J]. 发光学报, 2011,32(11): 1143-1146 DOI：

FENG Wen-lin, LI Tie, CHEN Zhi, ZHANG Yin, ZENG Cao, YANG Lei. Synthesis and Luminescent Properties of Eu3+ Doped Ga2(MoO4)3 Phosphors[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011,32(11): 1143-1146 DOI：

摘要

通过共沉淀法制备了红色荧光粉Gd

(MoO

)

并采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光光谱对所制备的样品进行结构表征分析

讨论了不同掺杂量下合成的荧光材料的发光性质。研究结果表明:所制备的Gd

(MoO

)

红色荧光粉的三处激发峰分别位于394

465

534 nm。发射光谱中在589 nm和613 nm处有很强的发射峰

其中最强发射峰位于613 nm左右

与Eu

的

rarr;

跃迁对应。随着Eu

掺杂量的增加

所合成的荧光粉的发光强度逐渐增强。在三组实验结果中

1.4

0.6

(MoO

)

(

=0.6)的发光强度最强。

Abstract

paper

关键词

Keywords

references

Wang J J, Yin H B, Wang F, et al. Study on properties of Gd2(MoO4)3∶Eu3+ doped with Bi3+ and Y3+ [J]. Mater. Rev. (材料导报), 2008, 22 (z3):124-126 (in Chinese).[2] Zhang W P, Yin M. Preparation and properties of nanometric scale luminescent materials doped by rare earth [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2000, 21 (4):314-319 (in Chinese).[3] Zhang G Y, Zhao X X, Meng Q Y, et al. Preparation and properties of red emitting phosphor Gd2Mo3O9∶Eu3+ for white LEDs [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2007, 28 (1):57-61 (in Chinese).[4] Lei B F, Sha L, Liu Y L, et al. Synthesis of nano-sized Sr2SiO4∶Eu3+ phosphor by combustion method and its luminescence properties [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2011, 32 (6):535-541 (in Chinese).[5] Liu L, Yuan X M, Xie A, et al. Synthesis and Luminescent properties of Eu3+-activated novel borate-based red-emitting phosphors for white LED [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2011, 32 (7):686-692 (in Chinese).[6] Yang Y L, Li X M, Feng W L, et al. Synthesis and characteristic of CaMoO4∶Eu3+ red phosphor for W-LED by co-precipitation [J]. J. Inorg. Mater., 2011, 27 (10):276-280 (in Chinese).[7] Yang Y L, Li X M, Feng W L, et al. Effect of surfactants on morphology and luminescent properties of CaMoO4∶Eu3+ red phosphors [J]. J. Alloys Compd., 2011, 509 (3):845-848.[8] Wenst R C. CRC Handbook of Chemistry and Physics [M]. Roca Raton: CRC Press, 1989:F-187.[9] Wang Z L. Luminescence of (Li0.333Na0.334K0.333)Eu(MoO4)2 and its application in near UV InGaN-based light-emitting diode [J]. Chem. Phys. Lett., 2005, 46 (4-6):313-316.[10] Zhang G Y, Zhao X X, Meng Q Y, et al. Synthesis and characterization of Eu3+ doped α-Gd2(MoO4)3 phosphor [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2006, 27 (5):724-728 (in Chinese).

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