高效率半导体激光器光纤耦合模块

朱洪波; 刘云; 郝明明; 单肖楠; 付喜宏; 张金龙; 王立军

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高效率半导体激光器光纤耦合模块

器件制备及器件物理 | 更新时间：2020-08-12

- 高效率半导体激光器光纤耦合模块
- High Efficiency Module of Fiber Coupled Diode Laser
- 发光学报 2011年32卷第11期页码：1147-1151
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院研究生院
  2. 中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所, 吉林长春 130033
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家"863"计划(0069AA032705);吉林省科技厅重大项目(10ZDGG001);广东省院地合作项目(2009A091100021)资助项目
- DOI：
  中图分类号： TN248.4
- 收稿：2011-05-13，
  
  修回：2011-6-28，
  
  网络首发：2011-11-22，
  
  纸质出版：2011-11-22
- 稿件说明：
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朱洪波, 刘云, 郝明明, 单肖楠, 付喜宏, 张金龙, 王立军. 高效率半导体激光器光纤耦合模块[J]. 发光学报, 2011,32(11): 1147-1151

ZHU Hong-bo, LIU Yun, HAO Ming-ming, SAN Xiao-nan, FU Xi-hong, ZHANG Jin-long, WANG Li-jun. High Efficiency Module of Fiber Coupled Diode Laser[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011,32(11): 1147-1151
朱洪波, 刘云, 郝明明, 单肖楠, 付喜宏, 张金龙, 王立军. 高效率半导体激光器光纤耦合模块[J]. 发光学报, 2011,32(11): 1147-1151 DOI：

ZHU Hong-bo, LIU Yun, HAO Ming-ming, SAN Xiao-nan, FU Xi-hong, ZHANG Jin-long, WANG Li-jun. High Efficiency Module of Fiber Coupled Diode Laser[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011,32(11): 1147-1151 DOI：

摘要

随着半导体激光光源在激光加工领域的应用不断扩展

以激光二极管阵列制成的光纤耦合模块由于存在耦合效率低的缺点

已不能满足激光加工低成本的需求

因此研制高耦合效率的半导体激光器光纤耦合模块变得十分重要。本文将8只波长为808 nm、输出功率为5 W的单管半导体激光器通过合束技术耦合进光纤

制备了一种高效率的半导体激光器光纤耦合模块。光纤芯径为200

mu;m、数值孔径(

A)为0.22

光纤输出功率为33.2W

耦合效率超过83%

这种高效率半导体激光器光纤耦合模块

可用于激光打标、塑料加工等领域。

Abstract

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关键词

Keywords

references

Gu Yuanyuan, Feng Guangzhi, Deng Xinli, et al. 808 nm and 980 nm high power laser diode stack with wavelength coupling [J]. Optics and Precision Engineering (光学精密工程), 2009, 17 (1):8-13 (in Chinese).[2] Friedheim Dorsch, Franz X Daiminger, Petra Hennig, et al. 2 kW cw fiber-coupled diode laser system [J]. SPIE, 2000, 3889 :45-53.[3] Yang Ye, Liu Yun, Qin Li, et al. Electro-optic properties of 850 nm high-brightness tapered lasers [J]. Chin. J. Lumin.(发光学报), 2011, 32 (6):593-597 (in Chinese).[4] Feng Guangzhi, Gu Yuanyuan, San Xiaonan, et al. 808 nm high power diode laser stack with polarization coupling [J]. Chin. J. Lumin.(发光学报), 2009, 29 (4):695-700 (in Chinese).[5] Wang Xiangpeng, Li Zaijin, Wang Lijun, et al. Smile effect and package technique for diode laser arrays [J]. Optics and Precision Engineering (光学精密工程), 2010, 18 (1):553-557 (in Chinese).[6] Wessling C, Hengesbach S, Geiger J, et al. 50 W passively cooled, fiber coupled diode laser at 976 nm for pumping fiber lasers using 100 μm fiber bundles [J]. SPIE, 2008, 6876 :687614-1-11.[7] Liu Guojun, Bo Baoxue, Ma Xiaohui. et al. Study on high power semiconductor laser arrays and output beam shaping [J]. SPIE, 2009, 7382 :738207-1-11.[8] Schroder D, Werner E, Franke A, et al. Roadmap to low cost, high brightness diode laser power out of the fiber [J]. SPIE, 2010, 7583 :758309-1-7.[9] Pierer J, Grossmann S, Spinola Durante G, et al. Automated assembly processes of high power single emitter diode lasers for 100 W in 105 μm/NA 0.15 fiber module [J]. SPIE, 2011, 7918 :791801-1-8.[10] Kirk Price, Frank Pfeffer, Paul Leisher, et al. KW-class industrial diode lasers comprised of single emitters [J]. SPIE, 2010, 7583 :75830E-1-9.[11] David Havrilla, Marco Holzer, Dr Rüdiger Brockmann, et al. Dramatic advances in direct diode lasers [J]. SPIE, 2010, 7583 :75830B-1-6.[12] Marcel Werner, Christian Wessling, Stefan Hengesbach, et al. 100 W/100 μm passively cooled, fiber coupled diode laser at 976 nm based on multiple 100 μm single emitters [J]. SPIE, 2009, 7198 :71980P-1-7.

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