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850 nm高亮度近衍射极限锥形半导体激光器
器件制备及器件物理 | 更新时间:2020-08-12
    • 850 nm高亮度近衍射极限锥形半导体激光器

    • Near Diffraction Limit High-brightness 850 nm Tapered Laser Diodes

    • 发光学报   2011年32卷第10期 页码:1064-1068
    • 中图分类号: TN248.4
    • 纸质出版日期:2011-10-22

      网络出版日期:2011-10-22

      收稿日期:2011-4-2

      修回日期:2011-5-30

    扫 描 看 全 文

  • 杨晔, 刘云, 张金龙, 李再金, 单肖楠, 王立军. 850 nm高亮度近衍射极限锥形半导体激光器[J]. 发光学报, 2011,32(10): 1064-1068 DOI:

    YANG Ye, LIU Yun, ZHANG Jin-long, LI Zai-jin, SHAN Xiao-nan, WANG Li-jun. Near Diffraction Limit High-brightness 850 nm Tapered Laser Diodes[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011,32(10): 1064-1068 DOI:

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