多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性

竹敏; 宋航; 蒋红; 缪国庆; 黎大兵; 李志明; 孙晓娟; 陈一仁

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多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性
- Quantum Dots Accumulation Phenomenon in The Growth of Multilayer GaSb(QDs)/GaAs and Their Luminescence Property
- 发光学报 2010年31卷第6期页码：859-863
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室
  2. 中国科学院研究生院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  中科院知识创新工程资助项目()
- DOI：
  中图分类号： O482.31
- 收稿：2010-06-25，
  
  修回：2010-8-24，
  
  网络首发：2010-11-22，
  
  纸质出版：2010-11-22
- 稿件说明：
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竹敏, 宋航, 蒋红, 缪国庆, 黎大兵, 李志明, 孙晓娟, 陈一仁. 多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性[J]. 发光学报, 2010,31(6): 859-863

ZHU Min, SONG Hang, JIANG Hong, MIAO Guo-qing, LI Da-bing, LI Zhi-ming, SUN Xiao-juan, CHEN Yi-ren. Quantum Dots Accumulation Phenomenon in The Growth of Multilayer GaSb(QDs)/GaAs and Their Luminescence Property[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2010,31(6): 859-863
竹敏, 宋航, 蒋红, 缪国庆, 黎大兵, 李志明, 孙晓娟, 陈一仁. 多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性[J]. 发光学报, 2010,31(6): 859-863 DOI：

ZHU Min, SONG Hang, JIANG Hong, MIAO Guo-qing, LI Da-bing, LI Zhi-ming, SUN Xiao-juan, CHEN Yi-ren. Quantum Dots Accumulation Phenomenon in The Growth of Multilayer GaSb(QDs)/GaAs and Their Luminescence Property[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2010,31(6): 859-863 DOI：

摘要

通过对多层GaSb量子点的生长研究

发现随着生长层数的增加

量子点尺寸逐渐变大

密度没有明显变化

并且量子点出现了聚集现象;当层数增加到一定数量、量子点聚集到一定大小时

聚集的量子点处会出现空洞。这些现象表明

各层量子点在生长过程中存在关联效应

并且GaAs层不能很好地覆盖在聚集的量子点之上

在继续生长其它量子点层时

聚集的量子点处在高温下出现GaSb的蒸发

从而出现空洞。PL谱出现了很宽的量子点发光峰

这很可能是由于多层量子点在生长时大小分布较宽而导致的结果。

Abstract

paper

关键词

Keywords

references

Laghumavarapu R B, El-Emawy M, Nuntawong N, et al. Improved device performance of InAs/GaAs quantum dot solar cells with GaP strain compensation layers [J]. Appl. Phys. Lett., 2007, 91 (24):243115-1-3.[2] Moscho A, Khoshakhlagh A, El-Emawy M, et al. GaSb/GaAs typeⅡ quantum dot solar cells for enhanced infrared spectral response [J]. Appl. Phys. Lett., 2007, 90 (17):173125-1-3.[3] Bastardb G, Sakakia H, Arakawaa Y, et al. Enhancement of the Coulomb correlations in type-II quantum dots [J]. Phys. E, 2007, 7 (3-4):393-397.[4] Ledentsov N N, Bshima J, Beer M, et al. Radiative states in type-Ⅱ GaSb/GaAs quantum wells [J]. Phys. Rev. B, 1995, 52 (19):14058-14066.[5] Cuadra L, Mart A, Luque A. Type Ⅱ broken band heterostructure quantum dot to obtain a material for the intermediate band solar cell [J]. Phys. E, 2002, 14 (1-2):162-165.[6] Franceschetti A, Lany S, Bester G, et al. Quantum-dot intermediate-band solar cells with inverted band alignment [J]. Phys. E, 2008, 41 (1):15-17.[7] Luque A, Martí A. Increasing the efficiency of ideal solar cells by photon induced transitions at intermediate levels [J]. Phys. Rev. Lett., 1997, 78 (26):5014-5017.[8] Wei Guodan, Shiu Kuen-Ting, Giebink Noel C, et al. Thermodynamic limits of quantum photovoltaic cell efficiency [J]. Appl. Phys. Lett., 2007, 91 (22):223507-1-3.[9] Hatami F, Ledentso V N N, Grundmann M, et al. Radiative recombination in type-Ⅱ GaSb/GaAs quantum dots [J]. Appl. Phys. Lett., 1995, 67 (5):656-658.[10] Motlan, Butcher K S A, Goldys E M, et al. Multilayer GaSb/GaAs self-assembled quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition [J]. Materials Chem. and Phys., 2003, 81 (1):8-10.[11] Tersoff J, Teichert C, Lagally M G. Self-organization in growth of quantum dot superlattices [J]. Phys. Rev. Lett., 1996, 76 (10):1675-1678.[12] Xie Q, Madhukar A, Chen P, et al. Vertically self-organized InAs quantum box islands on GaAs(100) [J]. Phys. Rev. Lett., 1995, 75 (13):2542-2545.[13] Kudo M, Mishima T, Iwamoto S, et al. Long-wavelength luminescence from GaSb quantum dots grown on GaAs substrates [J]. Phys. E, 2004, 21 (2-4):275-278.[14] Zhuang Q, Li H, Pan L, et al. Self-organization of the InGaAs/GaAs quantum dots superlattice [J]. J. Cryst. Growth, 1999, 201-202 :1161-1163.

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