生长温度对6H-SiC上SiCGe薄膜发光特性的影响

李连碧; 陈治明

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生长温度对6H-SiC上SiCGe薄膜发光特性的影响

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 生长温度对6H-SiC上SiCGe薄膜发光特性的影响
- Influence of Growth Temperature on Photoluminescence of Thin SiCGe Films on 6H-SiC
- 发光学报 2010年31卷第3期页码：373-377
- 作者机构：
  
  西安理工大学电子工程系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O484.1;O482.31
- 收稿：2009-12-09，
  
  修回：1900-1-2，
  
  网络首发：2010-06-30，
  
  纸质出版：2010-06-30
- 稿件说明：
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李连碧, 陈治明. 生长温度对6H-SiC上SiCGe薄膜发光特性的影响[J]. 发光学报, 2010,31(3):373-377.

LI Lian-bi, CHEN Zhi-ming. Influence of Growth Temperature on Photoluminescence of Thin SiCGe Films on 6H-SiC[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2010, 31(3): 373-377.
李连碧, 陈治明. 生长温度对6H-SiC上SiCGe薄膜发光特性的影响[J]. 发光学报, 2010,31(3):373-377. DOI：

LI Lian-bi, CHEN Zhi-ming. Influence of Growth Temperature on Photoluminescence of Thin SiCGe Films on 6H-SiC[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2010, 31(3): 373-377. DOI：

摘要

利用低压化学气相淀积工艺在6H-SiC衬底成功制备了SiCGe薄膜。通过光致发光(PL)谱研究了生长温度对SiCGe薄膜发光特性的影响。结果表明:生长温度为980

1 030

1 060 ℃的SiCGe薄膜的室温光致发光峰分别位于2.13

2.18

2.31 eV处;通过组分分析和带隙计算

认定该发光峰来自于带间辐射复合

证实了改变生长温度对SiCGe薄膜带隙的调节作用。同时

对SiCGe薄膜进行了变温PL测试

发现当测试温度高于200 K时

发光峰呈现出蓝移现象。认为这是不同机制参与发光所造成的。

Abstract

paper

关键词

Keywords

references

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