背入射Au/ZnO/Al结构肖特基紫外探测器

赵延民; 张吉英; 张希艳; 单崇新; 姚 斌; 赵东旭; 张振中; 李炳辉; 申德振; 范希武

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背入射Au/ZnO/Al结构肖特基紫外探测器

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 背入射Au/ZnO/Al结构肖特基紫外探测器
- A Back-illuminated Au/ZnO/Al Shottky UV Photodetector
- 发光学报 2010年31卷第4期页码：527-530
- 作者机构：
  
  1. 长春理工大学材料科学与工程学院, 吉林长春 130022
  2. 中国科学院研究生院
  3. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  中国科学院知识创新工程重要方向项目(KJCX3.SYW.WOI)();国家重点基础研究发展计划"();973"();计划课题(2008CB317105,
- DOI：
  中图分类号： O472.8
- 收稿：2009-11-19，
  
  修回：2009-12-28，
  
  网络首发：2010-08-27，
  
  纸质出版：2010-08-27
- 稿件说明：
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赵延民, 张吉英, 张希艳, 单崇新, 姚斌, 赵东旭, 张振中, 李炳辉, 申德振, 范希武. 背入射Au/ZnO/Al结构肖特基紫外探测器[J]. 发光学报, 2010,31(4): 527-530

ZHAO Yan-min, ZHANG Ji-ying, ZHANG Xi-yan, SHAN Chong-xin, YAO Bin, ZHAO Dong-xu, ZHANG Zhen-zhong, LI Bing-hui, SHEN De-zhen, Fan Xi-wu. A Back-illuminated Au/ZnO/Al Shottky UV Photodetector[J]. 发光学报, 2010,31(4): 527-530
赵延民, 张吉英, 张希艳, 单崇新, 姚斌, 赵东旭, 张振中, 李炳辉, 申德振, 范希武. 背入射Au/ZnO/Al结构肖特基紫外探测器[J]. 发光学报, 2010,31(4): 527-530 DOI：

ZHAO Yan-min, ZHANG Ji-ying, ZHANG Xi-yan, SHAN Chong-xin, YAO Bin, ZHAO Dong-xu, ZHANG Zhen-zhong, LI Bing-hui, SHEN De-zhen, Fan Xi-wu. A Back-illuminated Au/ZnO/Al Shottky UV Photodetector[J]. 发光学报, 2010,31(4): 527-530 DOI：

摘要

设计制作了一种Au/ZnO/Al结构的紫外探测器

光的入射方式采用背入射式。ZnO薄膜是用磁控溅射在蓝宝石衬底上制备的。

I-V

测试表明:Au与ZnO形成了肖特基接触。得到探测器的光响应峰值在352 nm

截止边为382 nm

可见抑制比达一个量级。由于该探测器是一种垂直结构器件

对于进一步实现ZnO紫外探测器阵列及单光子探测有很好的研究价值。

Abstract

paper

关键词

Keywords

references

Monroy E, Calle F, Munoz E, et al. A1GaN metal-semiconductor-metal photodiodes

. Appl. Phys. Lett., 1999, 74 (22):3401-3403.

Wang Jun, Zhao Degang, Liu Zongshun, et al. GaN Schottky barrier ultraviolet detector

. Chin. J. Semiconductor (半导体学报), 2004, 25 (6):711-714 (in Chinese).

Lin Zhaojun, Zhang Taiping, Wu Guoying, et al. I-V characteristics of Au-GaN Schottky junction

. Chin. J. Semiconductor (半导体学报), 2000, 21 (4):369-372 (in Chinese).

Razeghi M, Rogalski A. Semiconductor ultraviolet detectors

. J. Appl. Phys., 1996, 79 (10):7433-7473.

Srikant V, Clarke D R. On the optical band gap of zinc oxide

. J. Appl. Phys., 1998, 83 (10):5447-5451.

Look D C, Reynolds D C, Fang Z Q, et al. Point defect characterization of GaN of ZnO

. Mater. Sci. Eng. B, 1999, 66 (1-3):30-32.

Reynolds D C, Look D C, Jogai B, et al. Time-resolved photoluminescence life time measurements of the г5 and г6 free excitons in ZnO

. J. Appl. Phys., 2000, 88 (4):2152-2153.

Zhao Chunyu, Zhang Jiying, Wang Xiaohua, et al. Fabrication and properties of ZnO MSM UV detectors

. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2008, 29 (6):1027-1030 (in Chinese).

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