条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析

杨广华; 毛陆虹; 黄春红; 王 伟; 郭维廉

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条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析
- Design and Analysis of a Forked n-Well and p-Sub Junction Si LED Based on Standard CMOS Technology
- 发光学报 2010年31卷第3期页码：369-372
- 作者机构：
  
  1. 天津大学电子信息工程学院
  2. 天津工业大学信息与通信工程学院
  3. 中国科学院半导体所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN383.1;O482.31
- 收稿：2009-06-25，
  
  修回：1900-1-2，
  
  网络首发：2010-06-30，
  
  纸质出版：2010-06-30
- 稿件说明：
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杨广华, 毛陆虹, 黄春红, 等. 条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析[J]. 发光学报, 2010,31(3):369-372.

YANG Guang-hua, MAO Lu-hong, HUANG Chun-hong, et al. Design and Analysis of a Forked n-Well and p-Sub Junction Si LED Based on Standard CMOS Technology[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2010, 31(3): 369-372.
杨广华, 毛陆虹, 黄春红, 等. 条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析[J]. 发光学报, 2010,31(3):369-372. DOI：

YANG Guang-hua, MAO Lu-hong, HUANG Chun-hong, et al. Design and Analysis of a Forked n-Well and p-Sub Junction Si LED Based on Standard CMOS Technology[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2010, 31(3): 369-372. DOI：

摘要

采用0.35 μm 双栅标准CMOS工艺最新设计和制备了叉指型Si LED发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结

n阱为叉指结构

嵌入到p衬底中而结合成Si pn结LED。观察了Si LED发光显微图形及实际器件的版图

并在对器件进行了正、反向

I-V

特性测试、光功率及光谱特性的测量。Si LED 的正向偏置时开启电压为0.9 V

反向偏置时在15 V左右可观察到发光。器件在室温下反向偏置时

10 V

100 mA电流下所得输出光功率为12.6 nW

发光峰值在758 nm处。

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关键词

Keywords

references

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