气相输运法制备ZnO薄膜

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

气相输运法制备ZnO薄膜

论文 | 更新时间：2020-08-12

|

- 气相输运法制备ZnO薄膜
- ZnO Films Grown by the Vapor Transport Method
- 发光学报 2010年31卷第2期页码：189-193
- 作者机构：
  
  1. 厦门大学物理系,福建厦门,361005
  2. 厦门大学萨本栋微纳米技术研究中心,福建厦门,361005
  3. 拉筹伯大学物理系, 澳大利亚维多利亚本多拉,3086
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O472.3;O482.31
- 收稿日期：2009-11-03，
  
  修回日期：1900-01-02，
  
  网络出版日期：2010-04-30，
  
  纸质出版日期：2010-04-30
- 稿件说明：
移动端阅览
林秀珠, 李静, 吴启辉. 气相输运法制备ZnO薄膜[J]. 发光学报, 2010,31(2):189-193.

LIN Xiu-zhu, LI Jing, WU Qi-hui. ZnO Films Grown by the Vapor Transport Method[J]. Chinese journal of luminescence, 2010, 31(2): 189-193.
林秀珠, 李静, 吴启辉. 气相输运法制备ZnO薄膜[J]. 发光学报, 2010,31(2):189-193. DOI：

LIN Xiu-zhu, LI Jing, WU Qi-hui. ZnO Films Grown by the Vapor Transport Method[J]. Chinese journal of luminescence, 2010, 31(2): 189-193. DOI：

摘要

运用气相输运技术在不同的衬底上制备ZnO薄膜

同时对这些ZnO薄膜的表面形貌、晶体结构和光学特性进行表征。在扫描电子显微镜图像上可以看到

相比没有镀金的Si衬底

ZnO纳米颗粒在镀金的Si衬底上的生长尺寸较大。X射线衍射测试结果表明

在Si(111)和Si(100)衬底上生长的ZnO薄膜显示出不同的六角纤锌矿结构的衍射峰

但没有出现立方闪锌矿ZnO结构的衍射峰。在镀金的Si衬底上

ZnO薄膜生长取向主要为

c

轴方向。此外

所有ZnO样品的光致发光谱上均只出现一个狭窄且强的紫外峰

约在389 nm(3.19 eV)波长处。

Abstract

The characterizations of surface morphologies

crystal structures

and optical properties of the ZnO films prepared by a vapour-phase technique on different substrates were performed in this study. Scanning electron micro-scopy (SEM) data showed that larger ZnO particles are formed on the Au-covered Si substrates than those on Si substrates. X-ray diffraction (XRD) results indicated that hexagonal wurtzite ZnO films are grown on both Si(111) and Si(100) substrates though they present different diffraction peaks with hexagonal wurtzite structure

while appears no sphalerite structure. The ZnO films prepared on Au-coated Si substrates prefer to grow along with

c

-axis orientation. The PL spectra reveal only a narrow strong UV emission peak at about 389 nm (3.19 eV) in all the ZnO samples.

关键词

Keywords

references

. Huang M H, Mao S, Feick H, et al. Room-temperature ultraviolet nanowire nanolasers [J]. Science, 2001, 292 (5523):1897-1899.

. Morgan J H, Brodie D E. The preparation and some properties of transparent conducting ZnO for use in solar-cells [J]. Can. J. Phys., 1982, 60 (10):1387-1390.

. Vanheusden K, Seager C H, Warren W L, et al. Correlation between photoluminescence and oxygen vacancies in ZnO phosphors [J]. Appl. Phys. Lett., 1996, 68 (3):403-405.

. Li H, Sang J P, Liu C, et al. Microstructural study of MBE-grown ZnO film on GaN/sapphire (0001) substrate [J]. Centr. Eur. J. Phys., 2008, 6 (3):638-642.

. Su Shichen, Lu Youming, Zhang Zhenzhong, et al. Structural and optical properties of high quality MgxZn1-xO films grown by P-MBE [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2008, 29 (2):309-312 (in Chinese).

. Li Z Y, Xu F C, Wu Q H, et al. Zinc oxide thin film synthesized by combustion chemical vapor deposition [J]. Appl. Sur. Sci., 2008, 255 (5):2859-2863.

. Tian Ke, Shi Yuanyuan, Xu Xiaoqiu, et al. The investigation of growth orientation of ZnO films by CVD [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2008, 29 (2):294-298 (in Chinese).

. Mycielski A, Kowalczyk L, Szadkowski A, et al. The chemical vapour transport growth of ZnO single crystals [J]. J. Alloys Compd, 2004, 371 (1-2):150-152.

. Ntep J M, Hassani S S, Lusson A, et al. ZnO growth by chemical vapour transport [J]. J. Cryst. Growth, 1999, 207 (1-2):30-34.

. Shiloh M, Gutman J. Growth of ZnO single crystals by chemical vapour transport [J]. J. Cryst. Growth, 1971, 11 (2):105-107.

. Li J, Srinivasan S, He G N, et al. Synthesis and luminescence properties of ZnO nanostructures produced by the sol-gel method [J]. J. Cryst. Growth, 2008, 310 (3):599-603.

. Xu F, Lu Y N, Xia L L, et al. Seed layer-free electrodeposition of well-aligned ZnO submicron rod arrays via a simple aqueous electrolyte [J]. Mater. Res. Bull., 2009, 44 (8):1700-1708.

. Janfeshan B, Bahrevar M, Ahmadi K. ZnO nanorods grown by carbothermal evaporation [J]. Internat. J. Modern Phys., B, 2008, 22 (18-19):3289-3295.

. Deng S, Fan H M, Zhang X, et al. An effective surface-enhanced Raman scattering template based on a Ag nancluster-ZnO nanowire array [J]. Nanotech., 2009, 20 (17):175705-1-7.

. Zhang Y, Jia H B, Yu D P, et al. Low-temperature growth and Raman scattering study of vertically aligned ZnO nanowires on Si substrate [J]. Appl. Phys. Lett., 2003, 83 (22):4631-4633.

. Vanheusden K, Warren W L, Seager C H, et al. Mechanisms behind green photoluminescence in ZnO phosphor powders [J]. J. Appl. Phys., 1996, 79 (10):7983-1990.

0

浏览量

110

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

相关文章

退火对常压MOCVD法生长的高结晶性能ZnO薄膜发光特性的影响

高增益ZnO肖特基紫外光电探测器光响应特性

利用离子激发发光研究低温条件下ZnO发光行为

硫化亚锡薄膜的可控制备及其光伏特性

旋涂法制备WO₃薄膜电致变色性能

相关作者

陈玉凤

温战华

王立

戴江南

方文卿

江风益

段雨晗

蒋大勇

相关机构

南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心

长春理工大学材料科学与工程学院

光电功能材料教育部工程研究中心

北京师范大学核科学与技术学院　射线束教育部重点实验室

北京市辐射中心

AI问答

地址：长春市经济技术开发区东南湖大路3888号邮编：130033
联系电话：0431-86176862 Email：fgxbt@126.com
本系统由Light学术出版中心、北京北大方正电子有限公司共建吉ICP备11002662号-17 京公网安备11010802024621
本系统建议在Chrome、 IE9+ 以上版本浏览器阅读本站内容，360浏览器请切换至极速模式
Cookies帮助我们提供服务并提供个性化体验。使用本网站，即表示您同意我们使用Cookies

⁰