920 nm光抽运垂直外腔面发射半导体激光器结构设计

梁雪梅; 吕金锴; 程立文; 秦 莉; 宁永强; 王立军

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920 nm光抽运垂直外腔面发射半导体激光器结构设计

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 920 nm光抽运垂直外腔面发射半导体激光器结构设计
- Structural Design of Vertical-external-cavity Surface-emitting Semiconductor Laser with 920 nm
- 发光学报 2010年31卷第1期页码：79-85
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院研究生院
  2. 空军航空大学
  3. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN248.4
- 收稿：2009-08-25，
  
  修回：1900-1-2，
  
  网络首发：2010-02-20，
  
  纸质出版：2010-02-20
- 稿件说明：
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梁雪梅, 吕金锴, 程立文, 等. 920 nm光抽运垂直外腔面发射半导体激光器结构设计[J]. 发光学报, 2010,31(1):79-85.

LIANG Xue-mei, LU Jin-kai, CHENG Li-wen, et al. Structural Design of Vertical-external-cavity Surface-emitting Semiconductor Laser with 920 nm[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2010, 31(1): 79-85.
梁雪梅, 吕金锴, 程立文, 等. 920 nm光抽运垂直外腔面发射半导体激光器结构设计[J]. 发光学报, 2010,31(1):79-85. DOI：

LIANG Xue-mei, LU Jin-kai, CHENG Li-wen, et al. Structural Design of Vertical-external-cavity Surface-emitting Semiconductor Laser with 920 nm[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2010, 31(1): 79-85. DOI：

摘要

设计并优化了一种用808 nm的大功率激光二极管为抽运光源

0.09

0.91

As量子阱结构为增益介质的920 nm光抽运半导体垂直外腔面发射激光器。运用有限元方法

对激光器的电特性方程和光特性方程求自洽解

计算了器件各种特性参量。分析了单个周期内不同阱的个数(1

2和3)、不同阱深、不同垒宽、不同非吸收层组分、不同非吸收层尺寸条件下

器件性能的改变

特别是模式、阈值和光-光转换效率的改变

从而选择一个最佳的结构。

Abstract

paper

关键词

Keywords

references

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