ZnO薄膜微结构变化对光电特性的影响

刘秉策; 刘磁辉; 孙利杰; 易 波

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ZnO薄膜微结构变化对光电特性的影响

论文 | 更新时间：2020-08-12

- ZnO薄膜微结构变化对光电特性的影响
- Influence of ZnO Microstructure Variation on Its Photoelectricity Characteristics
- 发光学报 2010年31卷第2期页码：194-198
- 作者机构：
  
  中国科学技术大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O472.3;O472.4
- 收稿：2009-11-01，
  
  修回：1900-1-2，
  
  网络首发：2010-04-30，
  
  纸质出版：2010-04-30
- 稿件说明：
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刘秉策, 刘磁辉, 孙利杰, 等. ZnO薄膜微结构变化对光电特性的影响[J]. 发光学报, 2010,31(2):194-198.

LIU Bing-ce, LIU Ci-hui, SUN Li-jie, et al. Influence of ZnO Microstructure Variation on Its Photoelectricity Characteristics[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2010, 31(2): 194-198.
刘秉策, 刘磁辉, 孙利杰, 等. ZnO薄膜微结构变化对光电特性的影响[J]. 发光学报, 2010,31(2):194-198. DOI：

LIU Bing-ce, LIU Ci-hui, SUN Li-jie, et al. Influence of ZnO Microstructure Variation on Its Photoelectricity Characteristics[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2010, 31(2): 194-198. DOI：

摘要

使用脉冲激光淀积(PLD)技术在n型Si衬底上沉积氧化锌(ZnO)薄膜

在O

气氛下对样品进行了500 ℃(Sample 1

S1)

600 ℃(Sample 2

S2)

700 ℃(Sample 3

S3)和800 ℃(Sample 4

S4)退火

随后进行了X射线衍射(XRD)谱

椭偏光折射率

热激电流(TSC) 和电容-电压(

C-V

)的测量。研究发现:S1中晶界的电子陷阱由高浓度的深能级杂质(Zn

)提供的电子填充

该能级位于

-0.24±0.08 eV。S3中出现与中性施主(D

)有关的深能级中心

其

-0.13±0.03 eV

推测D

的出现与高温氧气条件退火下晶界处形成的复合体缺陷有关。XRD和椭偏光折射率测量结果表明:氧气对ZnO薄膜微结构的修饰是改变ZnO/Si结构光电特性的主要因素。

Abstract

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关键词

Keywords

references

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