InxGa1-xN/InyGa1-yN多量子阱结构 发光特性的测量与分析

郭洪英; 潘定珍; 范俊卿; 马 旭; 戴振宏; 孙元平

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In_xGa_1-xN/In_yGa_1-yN多量子阱结构发光特性的测量与分析

论文 | 更新时间：2020-08-12

- In_xGa_1-xN/In_yGa_1-yN多量子阱结构发光特性的测量与分析
- Characterization and Analysis on the Optical Properties of In_xGa_1-xN/In_yGa_1-yN Multiple Quantum Well Structures
- 发光学报 2009年30卷第6期页码：797-801
- 作者机构：
  
  烟台大学光电信息科学技术学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O482.31
- 收稿：2009-01-22，
  
  修回：1900-1-2，
  
  网络首发：2009-12-30，
  
  纸质出版：2009-12-30
- 稿件说明：
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郭洪英, 潘定珍, 范俊卿, 等. In_xGa_1-xN/In_yGa_1-yN多量子阱结构发光特性的测量与分析[J]. 发光学报, 2009,30(6):797-801.

GUO Hong-ying, PAN Ding-zhen, FAN Jun-qing, et al. Characterization and Analysis on the Optical Properties of In_xGa_1-xN/In_yGa_1-yN Multiple Quantum Well Structures[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009, 30(6): 797-801.
郭洪英, 潘定珍, 范俊卿, 等. In_xGa_1-xN/In_yGa_1-yN多量子阱结构发光特性的测量与分析[J]. 发光学报, 2009,30(6):797-801. DOI：

GUO Hong-ying, PAN Ding-zhen, FAN Jun-qing, et al. Characterization and Analysis on the Optical Properties of In_xGa_1-xN/In_yGa_1-yN Multiple Quantum Well Structures[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009, 30(6): 797-801. DOI：

摘要

利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了In

1-x

N/In

1-y

N多量子阱结构外延层

并用变温光致发光(PL)光谱、选择激发光谱以及激发(PLE)光谱等手段研究了该结构的量子效率、多峰效应的起源以及峰位随温度变化等信息。变温PL光谱的结果表明:在温度从30 K变化到300 K时

其峰值强度只下降了1.36倍且发光波长发生了蓝移。通过选择激发光谱证明了其发光峰位的独立性。PLE结果表明了GaN和势垒层的Stokes位移很小

但是In

1-x

N阱层的Stokes位移变化很大。同时

提出了一种可同时获得多个吸收边的数据处理方法。

Abstract

paper

关键词

Keywords

references

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