InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫

李文生; 孙宝权

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InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫

论文 | 更新时间：2020-08-12

- InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫
- Electron- and Hole-spin Relaxations in InAs/GaAs Single Quantum Dots
- 发光学报 2009年30卷第5期页码：668-672
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室, 北京 100083
  2. 通辽职业学院生物化工系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O472.3
- 收稿：2009-01-25，
  
  修回：1900-1-2，
  
  网络首发：2009-10-30，
  
  纸质出版：2009-10-30
- 稿件说明：
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李文生, 孙宝权. InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫[J]. 发光学报, 2009,30(5):668-672.

LI Wen-sheng, SUN Bao-quan. Electron- and Hole-spin Relaxations in InAs/GaAs Single Quantum Dots[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009, 30(5): 668-672.
李文生, 孙宝权. InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫[J]. 发光学报, 2009,30(5):668-672. DOI：

LI Wen-sheng, SUN Bao-quan. Electron- and Hole-spin Relaxations in InAs/GaAs Single Quantum Dots[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009, 30(5): 668-672. DOI：

摘要

利用分子束外延制备了三种类型量子点样品

它们分别是:未掺杂样品、n型Si调制掺杂样品和p型Be调制掺杂样品。在5 K温度下

采用共聚焦显微镜系统

测量了单量子点的光致发光谱和时间分辨光谱

研究了单量子点中三种类型激子(本征激子、负电荷激子和正电荷激子)的电子/空穴自旋翻转时间。它们的自旋翻转时间常数分别为: 本征激子的自旋翻转时间约16 ns

正电荷激子中电子的自旋翻转时间约2 ns

负电荷激子中空穴的自旋翻转时间约50 ps。

Abstract

paper

关键词

Keywords

references

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