发光二极管负电容与复合发光关系

谭延亮; 游开明; 袁红志

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发光二极管负电容与复合发光关系

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 发光二极管负电容与复合发光关系
- Relation of Negative Capacitance in LED to Emitting-recombination
- 发光学报 2009年30卷第5期页码：644-648
- 作者机构：
  
  1. 衡阳师范学院物电系, 湖南衡阳 421008
  2. 南华大学核科学技术学院
  3. 湖南天雁机械有限公司
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN312.8
- 收稿：2009-01-25，
  
  修回：1900-1-2，
  
  网络首发：2009-10-30，
  
  纸质出版：2009-10-30
- 稿件说明：
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谭延亮, 游开明, 袁红志. 发光二极管负电容与复合发光关系[J]. 发光学报, 2009,30(5):644-648.

TAN Yan-liang, YOU Kai-ming, YUAN Hong-zhi. Relation of Negative Capacitance in LED to Emitting-recombination[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009, 30(5): 644-648.
谭延亮, 游开明, 袁红志. 发光二极管负电容与复合发光关系[J]. 发光学报, 2009,30(5):644-648. DOI：

TAN Yan-liang, YOU Kai-ming, YUAN Hong-zhi. Relation of Negative Capacitance in LED to Emitting-recombination[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009, 30(5): 644-648. DOI：

摘要

利用正向交流(ac)小信号方法对发光二极管(LED)的电容-电压特性进行测量

可以观察到发光二极管中的负电容现象。通过对复合发光机理和发光二极管p-n结进行分析

得到了发光二极管在特定的正向电压范围内

由于发光概率复合急剧变化出现了＜0的现象;当＜0时

分析发光二极管结电容在正向偏压下对交流小信号的响应得到发光二极管表观电容的电流相位落后交流小信号电压相位

发光二极管表观电容表现为一个负电容。首次得到了发光二极管负电容与复合发光的关系表达式。

Abstract

paper

关键词

Keywords

references

. Sandoval F, Lopez C, Munoz E. Forward-bias impedance of GaAs1-xPx LED's [J]. Solid-State Electronics, 1982, 25 (5):355-357.

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