Mg<SUB>x</SUB>Zn<SUB>1-x</SUB>O薄膜的生长及其光学性能

宁 丹; 刘成有

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Mg_xZn_1-xO薄膜的生长及其光学性能

论文 | 更新时间：2020-08-12

- Mg_xZn_1-xO薄膜的生长及其光学性能
- Structural and Optical Peroperties of Mg_xZn_1-xO Films
- 发光学报 2009年30卷第4期页码：559-561
- 作者机构：
  
  通化师范学院物理系,吉林通化,134002
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O482.31
- 纸质出版日期：2009-8-30，
  
  网络出版日期：2009-8-30，
  
  收稿日期：2009-1-8，
  
  修回日期：1900-1-2，
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宁丹, 刘成有. Mg_xZn_1-xO薄膜的生长及其光学性能[J]. 发光学报, 2009,30(4):559-561.

NING Dan, LIU Cheng-you. Structural and Optical Peroperties of Mg_xZn_1-xO Films[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009,30(4):559-561.
宁丹, 刘成有. Mg_xZn_1-xO薄膜的生长及其光学性能[J]. 发光学报, 2009,30(4):559-561. DOI：

NING Dan, LIU Cheng-you. Structural and Optical Peroperties of Mg_xZn_1-xO Films[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009,30(4):559-561. DOI：

摘要

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(1120)衬底上生长高质量的Mg

1-x

O合金薄膜

实验研究了各种不同Mg组分对样品光学性能的影响。通过光致发光荧光衰减特性对激子发光寿命的研究表明

激子的寿命随Mg组分的增加而增加

当Mg组分达到50%时

激子的寿命为872 ps。

Abstract

1-x

O films were deposited by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on sapphire substrate (1120). Optical properties were investigated at different Mg concentration. The photoluminescence decay curves of the films with different Mg contents at 77 K were carried out. It was found that exciton lifetimes of the films become longer with increasing Mg content. For a film with Mg concentration of 50%

the exciton lifetime is 872 ps.

关键词

金属有机化学气相沉积(MOCVD)MgxZn1-xO合金寿命

Keywords

metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)MgxZn1-xO alloylifetime

references

. Yu P, Tang Z K, Wong G K L, et al. Proceedings of 23rd International Conference on Physics of Semiconductors . Singapore: World Scientific, 1996, 2:1453.

. Zhang B P, Binh N T, Wakatsuki K, et al. Growth of ZnO/MgZnO quantum wells on sapphire substrates and observation of the two-dimensional confinement effect [J]. Appl. Phys. Lett., 2005, 86 (3):032105-1-3.

. Nakamura S. The Blue Laser Diode [M]. New York: Springe, 1997.

. Wiesmann D, Brener I, Pfeiffer L, et al. Gain spectra and stimulated emission on epitaxial(In,Al) GaN thin films [J]. Appl. Phys. Lett., 1996, 69 (22):3384-3386.

. Ohtomo A, Kawasaki M, Koida T, et al. MgxZn1-xO as a Ⅱ-Ⅳ widegap semiconductor alloy [J]. Appl. Phys. Lett., 1998, 72 (19):2466-2468.

. Liu C Y, Zhang B P, Binh N T. Temperature-dependence of structural and optical properties of ZnO films on Si substrates by MOCVD [J]. J. Crystal Growth, 2006, 290 (2):314-318.

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Structural and Optical Peroperties of MgxZn1-xO Films

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