溅射气氛和退火方式对硅纳米晶的形成及发光特性的影响

胡 峰; 衣立新; 王申伟; 高 华; 何 桢

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溅射气氛和退火方式对硅纳米晶的形成及发光特性的影响

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 溅射气氛和退火方式对硅纳米晶的形成及发光特性的影响
- Effect of Si Nanocrystals Size on Photoluminescence Intensity of Si Nanocrystals Embedded in Si/SiO2 Superlattices after Ce3+ Implantation
- 发光学报 2009年30卷第2期页码：243-246
- 作者机构：
 
 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室, 北京 100044
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
 中图分类号： O482.31
- 收稿：2008-10-25，
 
 修回：1900-1-2，
 
 网络首发：2009-04-30，
 
 纸质出版：2009-04-30
- 稿件说明：
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胡峰, 衣立新, 王申伟, 等. 溅射气氛和退火方式对硅纳米晶的形成及发光特性的影响[J]. 发光学报, 2009,30(2):243-246.

Effect of Si Nanocrystals Size on Photoluminescence Intensity of Si Nanocrystals Embedded in Si/SiO2 Superlattices after Ce3+ Implantation[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009, 30(2): 243-246.
胡峰, 衣立新, 王申伟, 等. 溅射气氛和退火方式对硅纳米晶的形成及发光特性的影响[J]. 发光学报, 2009,30(2):243-246. DOI：

Effect of Si Nanocrystals Size on Photoluminescence Intensity of Si Nanocrystals Embedded in Si/SiO2 Superlattices after Ce3+ Implantation[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009, 30(2): 243-246. DOI：

摘要

利用磁控溅射技术溅射硅靶

通过调节溅射气氛在硅衬底上生长了SiO/SiO

超晶格

热退火处理后超晶格中的SiO发生相分离得到硅纳米晶。通过比较不同退火方式对于硅纳米晶的形成的影响发现

管式炉退火处理的样品给出非常强的室温光致发光

其发光峰的峰位随着硅纳米晶尺寸的增大而红移

且管式炉退火比快速热退火更有利于硅纳米晶的形成。

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关键词

Keywords

references

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