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p型深受主能级对OLED器件电荷输运的影响
论文 | 更新时间:2020-08-12
    • p型深受主能级对OLED器件电荷输运的影响

    • Effect of p-type Deep Accepter-like Trap on the Charge Carrier Transportation of OLEDs

    • 发光学报   2009年30卷第1期 页码:51-54
    • 中图分类号: TN383.1;TN873.3
    • 纸质出版日期:2009-2-20

      网络出版日期:2009-2-20

      收稿日期:2008-4-16

      修回日期:1900-1-2

    扫 描 看 全 文

  • 陈 伟, 饶海波, 蒋 泉, 等. p型深受主能级对OLED器件电荷输运的影响[J]. 发光学报, 2009,30(1):51-54. DOI:

    CHEN Wei, RAO Hai-bo, JIANG Quan, et al. Effect of p-type Deep Accepter-like Trap on the Charge Carrier Transportation of OLEDs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009,30(1):51-54. DOI:

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