原子力显微镜在PLD法制备ZnO薄膜表征中的应用

李丽丽; 梁 齐; 仇旭升; 汪壮兵; 宣晓峰; 于永强

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原子力显微镜在PLD法制备ZnO薄膜表征中的应用

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 原子力显微镜在PLD法制备ZnO薄膜表征中的应用
- Application of Atomic Force Microscope in the Characterization of ZnO Thin Films Fabricated by Pulsed Laser Deposition
- 发光学报 2009年30卷第1期页码：63-68
- 作者机构：
  
  合肥工业大学应用物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O482.31;TN304.055
- 收稿：2008-07-17，
  
  修回：1900-1-2，
  
  网络首发：2009-02-20，
  
  纸质出版：2009-02-20
- 稿件说明：
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李丽丽, 梁齐, 仇旭升, 等. 原子力显微镜在PLD法制备ZnO薄膜表征中的应用[J]. 发光学报, 2009,30(1):63-68.

LI Li-li, LIANG Qi, QIU Xu-sheng, et al. Application of Atomic Force Microscope in the Characterization of ZnO Thin Films Fabricated by Pulsed Laser Deposition[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009, 30(1): 63-68.
李丽丽, 梁齐, 仇旭升, 等. 原子力显微镜在PLD法制备ZnO薄膜表征中的应用[J]. 发光学报, 2009,30(1):63-68. DOI：

LI Li-li, LIANG Qi, QIU Xu-sheng, et al. Application of Atomic Force Microscope in the Characterization of ZnO Thin Films Fabricated by Pulsed Laser Deposition[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009, 30(1): 63-68. DOI：

摘要

利用脉冲激光沉积(PLD)法在氧压为16 Pa、衬底温度为400~700 ℃时

在单晶Si(100) 衬底上制备ZnO薄膜

并通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)谱和光致发光谱对制得的薄膜样品进行表面形貌、结构特性和发光性质研究。其中通过原子力显微镜对样品的二维、三维以及剖面线图进行了分析。结果表明衬底温度700 ℃时得到的薄膜样品表面较均匀致密

晶粒生长较充分

结晶质量较高

相对发光强度高。控制氧压为5.7 Pa

在衬底温度为600 ℃

沉积时间分别为10

45 min制备ZnO薄膜样品;利用原子力显微镜对样品进行表面形貌观察

得知只有沉积时间足够长才能使薄膜表面晶粒充分生长。

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关键词

Keywords

references

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