带隙可调的CdS纳米晶薄膜的化学浴制备和光学性质

甘新慧; 廖远宝; 刘东; 戴明; 徐岭; 吴良才; 马忠元; 徐骏

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带隙可调的CdS纳米晶薄膜的化学浴制备和光学性质

纳米和无定型材料的发光 | 更新时间：2020-08-12

- 带隙可调的CdS纳米晶薄膜的化学浴制备和光学性质
- Chemical Bath Deposition and Optical Properties of CdS Nanocrystalline Films with Tunable Electronic Band Gap
- 发光学报 2008年29卷第6期页码：1076-1080
- 作者机构：
  
  1. 南京大学固体微结构物理国家重点实验室, 南京大学物理系
  2. 中国科学院, 上海微系统与信息技术研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(10574069,60425414)();国家重点基础研究发展计划(2007CB935400)资助项目()
- DOI：
  中图分类号： O482.31
- 收稿：2008-10-23，
  
  修回：2008-11-15，
  
  纸质出版：2008-11-20
- 稿件说明：
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甘新慧, 廖远宝, 刘东, 戴明, 徐岭, 吴良才, 马忠元, 徐骏. 带隙可调的CdS纳米晶薄膜的化学浴制备和光学性质[J]. 发光学报, 2008,29(6): 1076-1080

GAN Xin-hui, LIAO Yuan-bao, LIU Dong, DAI Ming, XU Ling, WU Liang-cai, MA Zhong-yuan, XU Jun. Chemical Bath Deposition and Optical Properties of CdS Nanocrystalline Films with Tunable Electronic Band Gap[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(6): 1076-1080
甘新慧, 廖远宝, 刘东, 戴明, 徐岭, 吴良才, 马忠元, 徐骏. 带隙可调的CdS纳米晶薄膜的化学浴制备和光学性质[J]. 发光学报, 2008,29(6): 1076-1080 DOI：

GAN Xin-hui, LIAO Yuan-bao, LIU Dong, DAI Ming, XU Ling, WU Liang-cai, MA Zhong-yuan, XU Jun. Chemical Bath Deposition and Optical Properties of CdS Nanocrystalline Films with Tunable Electronic Band Gap[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(6): 1076-1080 DOI：

摘要

CdS是一种直接带隙半导体

室温下其禁带宽度约为2.4eV

是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料.分别以CdCl

和(NH

)

CS作为镉源和硫源

用化学淀积法在玻璃上生长CdS纳米薄膜

考察了Cd

浓度、淀积温度、淀积时间以及溶液pH值对CdS成膜的影响.紫外可见光吸收谱和荧光光谱的结果表明

在样品的制备过程中

通过改变反应条件如化学试剂的浓度、加热温度、加热时间等来控制薄膜中颗粒的尺寸大小

随着反应温度的逐渐降低或反应时间的减少等可以使得到的CdS纳米晶薄膜中晶粒尺寸逐渐减小

带隙增加;镉离子浓度越小或氨水浓度越大

所得CdS纳米晶薄膜带隙越大.

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Chemical Bath Deposition and Optical Properties of CdS Nanocrystalline Films with Tunable Electronic Band Gap

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