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退火氧化生成的硅锗低维结构的光致发光性质
纳米和无定型材料的发光 | 更新时间：2020-08-12

    • 退火氧化生成的硅锗低维结构的光致发光性质

    • The Properties of PL in Low-dimensional Structure with Si1-xGex Formed by Annealing

    • 发光学报   2008年29卷第6期 页码：1050-1054
    • 中图分类号： O472.3;O482.31

    • 收稿：2008-09-20，

      修回：2008-10-28，

      纸质出版：2008-11-20

    移动端阅览

  • 王海旭, 冯彩玲, 金锋. 退火氧化生成的硅锗低维结构的光致发光性质[J]. 发光学报, 2008,29(6): 1050-1054 DOI：

    WANG Hai-xu, FENG Cai-ling, JIN Feng. The Properties of PL in Low-dimensional Structure with Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub> Formed by Annealing [J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(6): 1050-1054 DOI：

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