一种制备稳定高效光致发光氧化多孔硅的新方法

李洪亮; 翟江; 万勇; 郭培志; 于建强; 赵修松

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一种制备稳定高效光致发光氧化多孔硅的新方法

更新时间：2020-08-12

- 一种制备稳定高效光致发光氧化多孔硅的新方法
- Preparation of the Oxidized Porous Silicon with Stable Surface Composition and Intense Photoluminescence
- 发光学报 2008年29卷第5期页码：879-884
- 作者机构：
  
  1. 青岛大学纤维新材料与现代纺织实验室, 国家重点实验室培育基地, 青岛大学化学化工与环境学院
  2. 潍坊教育学院, 化学工程系, 山东, 青州
  3. 青岛大学, 物理学院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(50602028)();青岛大学引进人才启动基金(06300504)();山东省高教访学基金(20081001)资助项目()
- DOI：
  中图分类号： O472.3;O482.31
- 收稿：2007-09-27，
  
  修回：2007-10-18，
  
  纸质出版：2008-09-20
- 稿件说明：
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李洪亮, 翟江, 万勇, 郭培志, 于建强, 赵修松. 一种制备稳定高效光致发光氧化多孔硅的新方法[J]. 发光学报, 2008,29(5): 879-884

LI Hong-liang, ZHAI Jiang, WAN Yong, GUO Pei-zhi, YU Jian-qiang, ZHAO Xiu-song. Preparation of the Oxidized Porous Silicon with Stable Surface Composition and Intense Photoluminescence[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(5): 879-884
李洪亮, 翟江, 万勇, 郭培志, 于建强, 赵修松. 一种制备稳定高效光致发光氧化多孔硅的新方法[J]. 发光学报, 2008,29(5): 879-884 DOI：

LI Hong-liang, ZHAI Jiang, WAN Yong, GUO Pei-zhi, YU Jian-qiang, ZHAO Xiu-song. Preparation of the Oxidized Porous Silicon with Stable Surface Composition and Intense Photoluminescence[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(5): 879-884 DOI：

摘要

对比研究了经20%的硝酸、浓硫酸

以及半导体工业中用于氧化清洗单晶硅表面的SC-1(1:1:5

体积比

OH/H

也称RCA-1)和SC-2(1:1:6的HCl/H

也称RCA-2)氧化液氧化的多孔硅表面组成以及光致发光性质的差异.发现SC-1氧化液能在几十秒的时间内将多孔硅表面的Si-H

(x=1～3)氧化掉

形成稳定的氧化层

得到具有较强的光致发光性能的氧化多孔硅.而硝酸、浓硫酸和SC-2液在相同温度下处理10min的多孔硅表面的(O)

Si-H

振动峰仍很明显

前两者处理后的多孔硅发光强度很弱

SC-1处理后的样品虽然发光较强

但不稳定.结合SC-1的组成和多孔硅表面Si-H

的性质

对反应结果进行了解释.将SC-1和SC-2结合使用

所得的氧化多孔硅具有强的且稳定的光致发光特性.

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关键词

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