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表面等离激元对氮化硅薄膜中Tb3+离子荧光寿命的影响
论文 | 更新时间：2020-08-12

    • 表面等离激元对氮化硅薄膜中Tb3+离子荧光寿命的影响

    • Effects of Surface Plasmon on the Photoluminescence Emission Decay Time of Tb3+ Doped SiNx Films

    • 发光学报   2008年29卷第4期 页码：684-688
    • 中图分类号： O539;O482.31;O614.341

    • 收稿：2007-12-16，

      修回：2008-1-24，

      纸质出版：2008-07-20

    移动端阅览

  • 胡翔, 李东升, 程培红, 袁志钟, 杨德仁. 表面等离激元对氮化硅薄膜中Tb<sup>3+</sup>离子荧光寿命的影响[J]. 发光学报, 2008,29(4): 684-688 DOI：

    HU Xiang, LI Dong-sheng, CHENG Pei-hong, YUAN Zhi-zhong, YANG De-ren . Effects of Surface Plasmon on the Photoluminescence Emission Decay Time of Tb<sup>3+</sup> Doped SiN<sub>x</sub> Films[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(4): 684-688 DOI：

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