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P-MBE制备氮掺杂p型ZnO中空穴的散射机制
论文 | 更新时间：2020-08-12

    • P-MBE制备氮掺杂p型ZnO中空穴的散射机制

    • Hole Scattering Mechanisms in Nitrogen-doped p-type ZnO Films Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

    • 发光学报   2008年29卷第3期 页码：437-440
    • 中图分类号： O472.4

    • 收稿：2007-10-25，

      修回：2007-12-24，

      纸质出版：2008-05-20

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  • 孙建武, 吕有明, 刘益春, 申德振, 张振中, 李炳辉, 张吉英, 姚斌, 赵东旭, 范希武. P-MBE制备氮掺杂p型ZnO中空穴的散射机制[J]. 发光学报, 2008,29(3): 437-440 DOI：

    SUN Jian-wu, LU You-ming, LIU Yi-chun, SHEN De-zhen, ZHANG Zhen-zhong, LI Bing-hui, ZHANG Ji-ying, YAO Bin, ZHAO Dong-xu, FAN X W. Hole Scattering Mechanisms in Nitrogen-doped p-type ZnO Films Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(3): 437-440 DOI：

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周昌杰
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厦门大学物理系, 半导体光子学研究中心
湖北大学 材料科学与工程学院
湖北民族大学 智能科学与工程学院
福州大学先进制造学院
厦门市芯诺通讯科技有限公司
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