MOCVD生长中载气H2对N掺杂ZnO 性质的影响

刘雪冬; 顾书林; 李峰; 朱顺明; 刘伟; 叶建东; 单正平; 刘少波; 汤琨; 朱光耀; 张荣; 郑有炓

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MOCVD生长中载气H₂对N掺杂ZnO 性质的影响

论文 | 更新时间：2020-08-12

- MOCVD生长中载气H₂对N掺杂ZnO 性质的影响
- The Effect of Carrier Gas H₂ Used during MOCVD-growth on the Properties of N-doped ZnO
- 发光学报 2008年29卷第3期页码：441-446
- 作者机构：
  
  南京大学物理系, 江苏省光电功能材料重点实验室, 江苏, 南京, 210093
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家重点基础研究规划(G001CB3095)();国家自然科学基金(60276011,60390073)();国家“863”计划(2002AA311060)资助项目()
- DOI：
  中图分类号： O482.31
- 收稿：2007-10-25，
  
  修回：2007-12-24，
  
  纸质出版：2008-05-20
- 稿件说明：
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刘雪冬, 顾书林, 李峰, 朱顺明, 刘伟, 叶建东, 单正平, 刘少波, 汤琨, 朱光耀, 张荣, 郑有炓. MOCVD生长中载气H2对N掺杂ZnO 性质的影响[J]. 发光学报, 2008,29(3): 441-446

LIU Xue-dong, GU Shu-lin, LI Feng, ZHU Shun-ming, LIU Wei, YE Jian-dong, SHAN Zheng-ping, LIU Shao-bo, TANG Kun, ZHU Guang-yao, ZHANG Rong, ZHENG You-dou. The Effect of Carrier Gas H2 Used during MOCVD-growth on the Properties of N-doped ZnO[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(3): 441-446
刘雪冬, 顾书林, 李峰, 朱顺明, 刘伟, 叶建东, 单正平, 刘少波, 汤琨, 朱光耀, 张荣, 郑有炓. MOCVD生长中载气H2对N掺杂ZnO 性质的影响[J]. 发光学报, 2008,29(3): 441-446 DOI：

LIU Xue-dong, GU Shu-lin, LI Feng, ZHU Shun-ming, LIU Wei, YE Jian-dong, SHAN Zheng-ping, LIU Shao-bo, TANG Kun, ZHU Guang-yao, ZHANG Rong, ZHENG You-dou. The Effect of Carrier Gas H2 Used during MOCVD-growth on the Properties of N-doped ZnO[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(3): 441-446 DOI：

摘要

采用MOCVD方法在石英衬底上生长ZnO。实验使用二乙基锌(DEZn)为锌源

O作为氧和氮源

作为载气。采用PL和Raman光谱方法对ZnO样品进行表征

结果表明H

的加入大幅度减少薄膜中碳的掺入

明显改善了薄膜的光学质量。采用N

O离化技术

可以进一步提高其带边峰的强度

抑制带内发光。XRD测量表明

生长的ZnO薄膜具有

轴择优取向。目前生长高质量N掺杂的p型ZnO薄膜是很困难的

而H

作为载气的加入明显改善了ZnO薄膜的光学性质

在生长过程中加入H

将为获得高质量N掺杂的p型ZnO薄膜提供一种途径。

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MOCVD生长中载气H2对N掺杂ZnO 性质的影响

The Effect of Carrier Gas H2 Used during MOCVD-growth on the Properties of N-doped ZnO

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MOCVD生长中载气H₂对N掺杂ZnO 性质的影响

The Effect of Carrier Gas H₂ Used during MOCVD-growth on the Properties of N-doped ZnO