利用胶体小球掩蔽刻蚀技术制备的半导体纳米阵列的场电子发射特性

周江; 李卫; 张贤高; 徐骏; 徐岭; 李伟; 陈坤基

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利用胶体小球掩蔽刻蚀技术制备的半导体纳米阵列的场电子发射特性

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 利用胶体小球掩蔽刻蚀技术制备的半导体纳米阵列的场电子发射特性
- Electron Field Emission Characteristics from Single-crystal Silicon Nanoarrays Fabricated by Direct Lithography with Nanosphere Mask
- 发光学报 2008年29卷第3期页码：573-577
- 作者机构：
  
  南京大学物理系, 固体微结构物理国家重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(60425414)();国家重大基础研究规划(2007CB613401)();高等学校博士点专项基金(20070284020)资助项目()
- DOI：
  中图分类号： TN873.95;O462.4
- 收稿：2007-11-25，
  
  修回：2008-1-24，
  
  纸质出版：2008-05-20
- 稿件说明：
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周江, 李卫, 张贤高, 徐骏, 徐岭, 李伟, 陈坤基. 利用胶体小球掩蔽刻蚀技术制备的半导体纳米阵列的场电子发射特性[J]. 发光学报, 2008,29(3): 573-577

ZHOU Jiang, LI Wei, ZHANG Xian-gao, XU Jun, XU Ling, LI Wei, CHEN Kun-ji. Electron Field Emission Characteristics from Single-crystal Silicon Nanoarrays Fabricated by Direct Lithography with Nanosphere Mask[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(3): 573-577
周江, 李卫, 张贤高, 徐骏, 徐岭, 李伟, 陈坤基. 利用胶体小球掩蔽刻蚀技术制备的半导体纳米阵列的场电子发射特性[J]. 发光学报, 2008,29(3): 573-577 DOI：

ZHOU Jiang, LI Wei, ZHANG Xian-gao, XU Jun, XU Ling, LI Wei, CHEN Kun-ji. Electron Field Emission Characteristics from Single-crystal Silicon Nanoarrays Fabricated by Direct Lithography with Nanosphere Mask[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(3): 573-577 DOI：

摘要

利用胶体小球掩蔽刻蚀技术

制备了单晶硅纳米阵列

利用原子力显微镜观察了硅阵列的表面形貌

实验结果表明

硅柱阵列具有高密度和较好的均匀性。同时研究了单晶硅纳米阵列的场电子发射特性。为了提高样品的场发射性能

在所制备的单晶硅有序纳米阵列上生长了一层非晶碳薄膜。与单晶纳米硅柱阵列相比

覆盖有非晶碳膜的样品的场电子发射特性有了明显的改善

表现在场发射的开启电场下降

同时场发射增强因子得到增加。结果表明非晶碳膜确实能够降低电子发射的表面有效势垒

从而增强了场电子发射特性。

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利用胶体小球掩蔽刻蚀技术制备的半导体纳米阵列的场电子发射特性

Electron Field Emission Characteristics from Single-crystal Silicon Nanoarrays Fabricated by Direct Lithography with Nanosphere Mask

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