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北京交通大学光电子技术研究所, 发光与光信息技术教育部重点实验室
收稿:2008-10-20,
修回:2008-11-3,
纸质出版:2008-11-20
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滕枫, 唐爱伟. 掺杂DCJTB聚乙烯咔唑的发光性质[J]. 发光学报, 2008,29(6): 957-961
TENG Feng, TANG Ai-wei. Emission Properties of DCJTB Doped Poly(N-vinylcarbazole)[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(6): 957-961
滕枫, 唐爱伟. 掺杂DCJTB聚乙烯咔唑的发光性质[J]. 发光学报, 2008,29(6): 957-961 DOI:
TENG Feng, TANG Ai-wei. Emission Properties of DCJTB Doped Poly(N-vinylcarbazole)[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(6): 957-961 DOI:
研究了PVK:DCJTB体系的发光特性.实验结果表明
PVK:DCJTB薄膜光激发时
PVK和DCJTB之间存在能量传递
DCJTB的浓度从1%增加到2%
能量传递效率明显增强
但仍然不充分.引入Alq
3
层后的PVK:DCJTB/Alq
双层薄膜
PVK的发光被有效地抑制了
Alq
明显促进了PVK向DCJTB的能量传递效率
说明Alq
起到了能量传递的"桥梁"作用.而结构为ITO/PVK:DCJTB/Alq
/LiF(1nm)/Al的器件的电致发光光谱与光致发光光谱明显不同.电致发光时
层的发光的相对强度比光致发光时大许多
而且发光强度随着驱动电压的增加而增强
说明随电压的增加
有更多的空穴注入到Alq
层
致使载流子在Alq
层的复合几率随电场的增强而增大.
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CSCD
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