nc-Si/SiNx超晶格薄膜实现Nd:YAG激光器调Q和锁模

王国立; 郭亨群; 苏培林; 张春华; 王启明; 徐骏; 陈坤基

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nc-Si/SiN_x超晶格薄膜实现Nd:YAG激光器调Q和锁模

更新时间：2020-08-12

- nc-Si/SiN_x超晶格薄膜实现Nd:YAG激光器调Q和锁模
- Passive Q-switching and Mode Locking of Pulsed Nd:YAG Laser with nc-Si/SiN_x Multilayer
- 发光学报 2008年29卷第5期页码：905-909
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院, 半导体研究所
  2. 华侨大学, 信息科学与工程学院
  3. 南京大学, 物理学系
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(60678053)();国家自然科学基金重点(60336010)();国家重点基础研究发展"973"计划(2007CB613401)资助项目()
- DOI：
  中图分类号： O484;TN248.1
- 收稿：2008-04-01，
  
  修回：2008-6-10，
  
  纸质出版：2008-09-20
- 稿件说明：
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王国立, 郭亨群, 苏培林, 张春华, 王启明, 徐骏, 陈坤基. nc-Si/SiNx超晶格薄膜实现Nd:YAG激光器调Q和锁模[J]. 发光学报, 2008,29(5): 905-909

WANG Guo-li, GUO Heng-qun, SU Pei-lin, ZHANG Chun-hua, WANG Qi-ming, XU Jun, CHEN Kun-ji. Passive Q-switching and Mode Locking of Pulsed Nd:YAG Laser with nc-Si/SiNx Multilayer[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(5): 905-909
王国立, 郭亨群, 苏培林, 张春华, 王启明, 徐骏, 陈坤基. nc-Si/SiNx超晶格薄膜实现Nd:YAG激光器调Q和锁模[J]. 发光学报, 2008,29(5): 905-909 DOI：

WANG Guo-li, GUO Heng-qun, SU Pei-lin, ZHANG Chun-hua, WANG Qi-ming, XU Jun, CHEN Kun-ji. Passive Q-switching and Mode Locking of Pulsed Nd:YAG Laser with nc-Si/SiNx Multilayer[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(5): 905-909 DOI：

摘要

采用射频磁控反应溅射法制备a-Si/SiN

超晶格薄膜材料

热退火后形成纳米Si晶粒.把nc-Si/SiN

薄膜作为饱和吸收体插入Nd:YAG激光器腔内

在腔长较短时

实现1.06μm激光的被动调Q运转

获得最小脉宽23ns的调Q单脉冲输出

当腔长增加到124cm时

获得平均脉宽3ps的锁模脉冲序列.根据实验现象结合薄膜结构

分析了材料调Q与锁模的产生机制

并研究了不同工作条件下的调Q输出性能.

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nc-Si/SiNx超晶格薄膜实现Nd:YAG激光器调Q和锁模

Passive Q-switching and Mode Locking of Pulsed Nd:YAG Laser with nc-Si/SiNx Multilayer

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Passive Q-switching and Mode Locking of Pulsed Nd:YAG Laser with nc-Si/SiN_x Multilayer