用于氮化镓发光二极管窗口层的铝掺杂氧化锌的生长

吴嘉城; 林伯融; 陈采宁; 游亭恩; 武东星

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用于氮化镓发光二极管窗口层的铝掺杂氧化锌的生长

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 用于氮化镓发光二极管窗口层的铝掺杂氧化锌的生长
- Growth of Al-doped ZnO Window Layer for GaN LED Application
- 发光学报 2008年29卷第3期页码：508-512
- 作者机构：
  
  台湾中兴大学, 材料科学及工程学系
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  台湾科学委员会基金资助项目(NSC95-2221-E-005-131-MY3)()
- DOI：
  中图分类号： O482.31
- 收稿：2007-10-25，
  
  修回：2007-12-15，
  
  纸质出版：2008-05-20
- 稿件说明：
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吴嘉城, 林伯融, 陈采宁, 游亭恩, 武东星. 用于氮化镓发光二极管窗口层的铝掺杂氧化锌的生长[J]. 发光学报, 2008,29(3): 508-512

WU Chia-cheng, LIN Po-rung, CHEN Tsai-ning, YU Ting-en, WUU Dong-sing. Growth of Al-doped ZnO Window Layer for GaN LED Application[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(3): 508-512
吴嘉城, 林伯融, 陈采宁, 游亭恩, 武东星. 用于氮化镓发光二极管窗口层的铝掺杂氧化锌的生长[J]. 发光学报, 2008,29(3): 508-512 DOI：

WU Chia-cheng, LIN Po-rung, CHEN Tsai-ning, YU Ting-en, WUU Dong-sing. Growth of Al-doped ZnO Window Layer for GaN LED Application[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(3): 508-512 DOI：

摘要

因应新时代电子产品的需求

透明导电薄膜(Transparent Conductive Oxides

TCO)的应用也更加广泛

传统上是使用氧化铟锡(Indium Tin Oxide

ITO)薄膜为透明导电薄膜

但其在高温应用上较不稳定并且易放出毒性

因此

铝掺杂氧化锌薄膜(ZnO:Al

AZO)有逐渐取代ITO的趋势。本论文将探讨掺杂不同铝含量的影响

并且就其光电特性加以说明

最后得到其光的透过率~85%、电阻率~7.3

#215;10

-3

#183;cm以及面粗糙度~28nm的铝掺杂氧化锌薄膜

其具有表面粗化、电流分布层及窗口层的作用。并且将掺铝的氧化锌薄膜应用于氮化镓发光二极管上

以掺铝氧化锌微结构作为透明传导层的氮化镓发光二极管(λ

=530nm

300

#215;300μm)在20mA的工作电流下

其正向电压值为3.3V

输出功率达1.7mW

并且由光学显微镜图可以得知

小电流注下其电流分布均匀。若将AZO制作参数再作适当优化调整

取代ITO作为p型氮化镓上的透明传导层的可行性应该很高。

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