生长温度和结构参数对InGaAs/GaAs量子阱光学特性的影响

贾国治; 姚江宏; 舒永春; 邢晓东; 皮彪

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生长温度和结构参数对InGaAs/GaAs量子阱光学特性的影响

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 生长温度和结构参数对InGaAs/GaAs量子阱光学特性的影响
- Influence of Growth Temperature and Structure Parameters on Optical Characteristic InGaAs/GaAs Quantum Wells
- 发光学报 2008年29卷第2期页码：325-329
- 作者机构：
  
  1. 泰达应用物理学院
  2. 天津城市建设学院
  3. 南开大学, 弱光非线性光子学教育部重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(60476042)();国家重点基础研究发展计划(2006CB921703)();天津市应用基础研究计划重点项目(06YFJZJC01100)();天
- DOI：
  中图分类号： O472.3;TN253;O482.31
- 收稿：2007-08-25，
  
  修回：2007-11-24，
  
  纸质出版：2008-03-20
- 稿件说明：
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贾国治, 姚江宏, 舒永春, 邢晓东, 皮彪. 生长温度和结构参数对InGaAs/GaAs量子阱光学特性的影响[J]. 发光学报, 2008,29(2): 325-329

JIA Guo-zhi, YAO Jiang-hong, SHU Yong-chun, XING Xiao-dong, PI Biao. Influence of Growth Temperature and Structure Parameters on Optical Characteristic InGaAs/GaAs Quantum Wells[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(2): 325-329
贾国治, 姚江宏, 舒永春, 邢晓东, 皮彪. 生长温度和结构参数对InGaAs/GaAs量子阱光学特性的影响[J]. 发光学报, 2008,29(2): 325-329 DOI：

JIA Guo-zhi, YAO Jiang-hong, SHU Yong-chun, XING Xiao-dong, PI Biao. Influence of Growth Temperature and Structure Parameters on Optical Characteristic InGaAs/GaAs Quantum Wells[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(2): 325-329 DOI：

摘要

研究了不同生长温度下制备的In

0.15

0.85

As/GaAs应变量子阱的PL谱

结果表明

生长温度越高

In偏析和In-Ga互混越严重

同时

导致更多的In脱附

PL谱发光峰蓝移。对不同In含量的和不同InGaAs厚度的InGaAs/GaAs量子阱进行PL谱测试

分析表明In含量

lt;0.2

生长温度低于560℃时

In含量和InGaAs层量子阱的厚度对In偏析、脱附和In-Ga互混基本没有影响。

Abstract

关键词

Keywords

references

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