ZnO：V薄膜后退火处理前后的微结构与发光特性

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材料合成及性能 | 更新时间：2020-08-11

- ZnO：V薄膜后退火处理前后的微结构与发光特性
- Microstructures and Photoluminescence Properties of ZnO：V Thin Films and Effects of Post-annealing
- 发光学报 2007年28卷第4期页码：561-565
- 作者机构：
  
  河南大学, 物理与电子学院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  河南省高校创新人才培养工程(2002006)();河南省杰出人才创新基金(0421001500)资助项目()
- DOI：
  中图分类号： O472.3;O482.31
- 收稿：2006-10-14，
  
  修回：2007-2-1，
  
  纸质出版：2007-07-20
- 稿件说明：
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张丽亭, 魏凌, 张杨, 张伟风. ZnO：V薄膜后退火处理前后的微结构与发光特性[J]. 发光学报, 2007,28(4): 561-565

ZHANG Li-ting, WEI Ling, ZHANG Yang, ZHANG Wei-feng . Microstructures and Photoluminescence Properties of ZnO：V Thin Films and Effects of Post-annealing[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(4): 561-565
张丽亭, 魏凌, 张杨, 张伟风. ZnO：V薄膜后退火处理前后的微结构与发光特性[J]. 发光学报, 2007,28(4): 561-565 DOI：

ZHANG Li-ting, WEI Ling, ZHANG Yang, ZHANG Wei-feng . Microstructures and Photoluminescence Properties of ZnO：V Thin Films and Effects of Post-annealing[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(4): 561-565 DOI：

利用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在单晶硅(100)衬底上分别制备了ZnO:V薄膜和纯ZnO薄膜。为进一步研究后退火对ZnO:V薄膜结构和发光性质的影响

在两段式快速退火后又在800℃下进行了后退火处理。X射线衍射的结果表明:后退火处理前

钒(V)的掺入使ZnO结晶质量变差

而800℃退火处理后

从ZnO的衍射峰中可以看出

相对于无V杂样品其结晶质量变好。扫描电子显微镜形貌图中可以看出制备的样品薄膜颗粒大小均匀

薄膜致密度较高。光致发光(PL)谱的研究表明:ZnO:V薄膜在800℃退火处理后

紫外和绿带发光峰均增强

但紫外发光峰增强得更多;与同样条件下制备的纯ZnO薄膜的PL谱比较

发现V掺杂后样品的紫外激子复合发光峰的强度明显增强且峰位发生蓝移

而缺陷引起的绿带发光峰的强度降低。

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