MOVPE生长的InGaN/GaN单量子阱的光致发光和光吸收特性

王玥; 施卫; 苑进社; 贺训军; 胡辉; 姬广举

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

MOVPE生长的InGaN/GaN单量子阱的光致发光和光吸收特性

论文 | 更新时间：2020-08-11

- MOVPE生长的InGaN/GaN单量子阱的光致发光和光吸收特性
- Photoluminescence and Optical Absorption Properties of InGaN/GaN Single Quantum Well Grown by MOVPE
- 发光学报 2007年28卷第3期页码：407-411
- 作者机构：
  
  1. 西安理工大学, 理学院, 应用物理系
  2. 哈尔滨理工大学, 电子科学与技术系
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(10474078)()
- DOI：
  中图分类号： O472.3;O482.31
- 收稿：2007-02-01，
  
  修回：2007-3-24，
  
  纸质出版：2007-05-20
- 稿件说明：
移动端阅览
王玥, 施卫, 苑进社, 贺训军, 胡辉, 姬广举. MOVPE生长的InGaN/GaN单量子阱的光致发光和光吸收特性[J]. 发光学报, 2007,28(3): 407-411

WANG Yue, , SHI Wei, YUAN Jin-she, HE Xun-jun, HU Hui, JI Guang-ju. Photoluminescence and Optical Absorption Properties of InGaN/GaN Single Quantum Well Grown by MOVPE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(3): 407-411
王玥, 施卫, 苑进社, 贺训军, 胡辉, 姬广举. MOVPE生长的InGaN/GaN单量子阱的光致发光和光吸收特性[J]. 发光学报, 2007,28(3): 407-411 DOI：

WANG Yue, , SHI Wei, YUAN Jin-she, HE Xun-jun, HU Hui, JI Guang-ju. Photoluminescence and Optical Absorption Properties of InGaN/GaN Single Quantum Well Grown by MOVPE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(3): 407-411 DOI：

摘要

研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)法在蓝宝石衬底上生长的In组分浓度保持不变的InGaN/GaN单量子阱结构在室温下的发光特性和光吸收特性.实验结果表明

在InGaN厚度

lt;3nm时

随着样品InGaN势阱层宽度的增加(1nm)

光致发光(PL)谱的发光峰值波长出现明显的红移33nm现象

而且发光强度下降8%

谱线半峰全宽(FWHM)展宽

通过对样品的透射、反射光谱研究发现

量子阱层窄(1.5nm)的样品在波长接近红外区时出现无吸收的现象

即

达到了100%

而在阱层较宽的样品中没有发现这一现象

对引起这些现象的原因进行了讨论.这些结果有助于开发和优化三族氮化物半导体光电器件的进一步研究工作.

Abstract

关键词

Keywords

references

Wu J,Walukiewicz W,Li S X,et al.Effects of electron concentration on the optical absorption edge of InN[J].Appl.Phys.Lett.,2004,84(15):2805-2807.

Yuan Jinshe,Chen Guangde,Lin Jingyu,et al.XPS analysis of AlGaN film grown by MOCVD[J].Acta Photonica Sinica(光子学报),2003,32(8):925-927 (in Chinese).

Ponce F A,Major J S,Plano W E,et al.Crystalline structure of AlGaN epitaxy on sapphire using AlN buffer layers[J].Appl.Phys.Lett.,1994,65(18):2302-2304.

Northrup J E,Romano L T,Neugebauer J.Surface energetics,pit formation,and chemical ordering in InGaN alloys[J].Appl.Phys.Lett.,1999,74(16):2319-2312.

Fan Zhijun,Liu Xianglin,Wan Shouke,et al.Dependence of InGaN photoluminescence on temperature[J].Chin.J.Semicond.(半导体学报),2002,22(5):569-572 (in Chinese).

Lu Yu,Yang Zhijian,Pan Yaopo,et al.Effect of Al doping in the InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes grown by metalorganic chemical vapour deposition[J].Chin.Phys.Lett.,2006,23(1):256-258.

Li Zhonghui,Yu Tongjun,Yang Zhijian,et al.Effect of annealing on photoluminescence and microstructures of InGaN/GaN multi-quantum well with Mg-doped p-type GaN[J].Chin.Phys.,2005,14(4):830-833.

Polland H J,Schultheis L,Kuhl J,et al.Lifetime enhancement of two-dimensional excitons by the quantum-confined Stark effect[J].Phys.Rev.Lett.,1985,55(23):2610-2613.

Miller D A B,Chemla D S,Damen T C,et al.Band-edge electro absorption in quantum well structures:The quantum-confined Stark effect[J].Phys.Rev.Lett.,1984,53(22):2173-2176.

Yukio Narukawa,Yoichi Kawakami,Shizuo Fujita,et al.Recombination dynamics of localized excitons in In0.20Ga0.80N-In0.05Ga0.95N multiple quantum wells[J].Phys.Rev.B,1997,55(4):1938-1941.

Zhu Youzhang,Chen Guangde,Tang Yuanhe,et al.Optical properties of InGaN film grown by MOCVD[J].Chin.J.Lumin.(发光学报),2005,26(5):602-606 (in Chinese).

Zhang Jincheng,Hao Yue,Feng Qian,et al.Thickness measurement of GaN film based on transmission spectra[J].Acta Phys.Sin.(物理学报),2004,53(4):1243-1246 (in Chinese).

Singh R,Doppalapudi D,Moustakas T D,et al.Phase separation in InGaN thick films and formation of InGaN/GaN double heterostructures in the entire alloy composition[J].Appl.Phys.Lett.,1997,70(9):1089-1091.

Berkowicz E,Gershoni D,Bahir G,et al.Measured and calculated radiative lifetime and optical absorption of InxGa1-xN/GaN quantum structures[J].Phys.Rev.B,2000,61(16):10994-11008.

浏览量

224

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

电感耦合等离子体辅助及H2/N2气氛调控对非晶Ga2O3薄膜发光特性的影响

Pr3+对Ce3+掺杂高钆铝硼硅酸盐氟氧玻璃发光性能及能量传递机理

Sr6GdAl（BO3）6∶Dy3+荧光粉的能量传递和发光特性

一步法原位合成Cs2NaInCl6@PVDF薄膜：掺杂调控与光学性能

一种提升LED光输出稳定性的有机-无机锰卤化物及其亮度优化