电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列

王小菊; 林祖伦; 祁康成; 陈泽祥; 汪志刚; 蒋亚东

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电化学刻蚀法制备LaB₆场发射微尖锥阵列

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 电化学刻蚀法制备LaB₆场发射微尖锥阵列
- Fabrication of LaB₆ Tip Field Emission Arrays Using Electro-chemical Etching Method
- 发光学报 2007年28卷第3期页码：429-432
- 作者机构：
  
  电子科技大学, 光电信息学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O462.2;TN873+.95
- 收稿：2006-04-06，
  
  修回：2006-11-8，
  
  纸质出版：2007-05-20
- 稿件说明：
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王小菊, 林祖伦, 祁康成, 陈泽祥, 汪志刚, 蒋亚东. 电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列[J]. 发光学报, 2007,28(3): 429-432

WANG Xiao-ju, LIN Zu-lun, QI Kang-cheng, CHEN Ze-xiang, WANG Zhi-gang, JIANG Ya-dong. Fabrication of LaB6 Tip Field Emission Arrays Using Electro-chemical Etching Method[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(3): 429-432
王小菊, 林祖伦, 祁康成, 陈泽祥, 汪志刚, 蒋亚东. 电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列[J]. 发光学报, 2007,28(3): 429-432 DOI：

WANG Xiao-ju, LIN Zu-lun, QI Kang-cheng, CHEN Ze-xiang, WANG Zhi-gang, JIANG Ya-dong. Fabrication of LaB6 Tip Field Emission Arrays Using Electro-chemical Etching Method[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(3): 429-432 DOI：

摘要

采用电化学刻蚀方法

成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥

并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较.结果表明

LaB

作为场发射阴极

具有良好的发射性能和稳定性.在〈111〉面单晶LaB

基片上

用PECVD法沉积非晶硅作掩膜

制备出具有一定高度的LaB

微尖锥场发射阵列

结果发现

LaB

基底较为平整

尖锥阵列呈现出各向异性.该结论对LaB

材料在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的指导意义.

Abstract

关键词

Keywords

references

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