半导体薄膜场发射中的膜厚影响

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半导体薄膜场发射中的膜厚影响

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- 半导体薄膜场发射中的膜厚影响
- Effects of Film Thickness on Field Emission from Semiconductor Films
- 发光学报 2007年28卷第2期页码：256-262
- 作者机构：
  
  1. 北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料实验室
  2. 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(10604001)();北京市自然科学基金(4073029)();北京市属市管高等学校人才强教计划();北京工业大学青年科研基金();北京工业大学博士
- DOI：
  中图分类号： TN83.95;O462.4
- 收稿：2006-07-13，
  
  修回：2006-9-12，
  
  纸质出版：2007-03-20
- 稿件说明：
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段志强, 王如志, 袁瑞玚, 王波, 严辉. 半导体薄膜场发射中的膜厚影响[J]. 发光学报, 2007,28(2): 256-262

DUAN Zhi-qiang, WANG Ru-zhi, YUAN Rui-chang, WANG Bo, YAN Hui. Effects of Film Thickness on Field Emission from Semiconductor Films[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(2): 256-262
段志强, 王如志, 袁瑞玚, 王波, 严辉. 半导体薄膜场发射中的膜厚影响[J]. 发光学报, 2007,28(2): 256-262 DOI：

DUAN Zhi-qiang, WANG Ru-zhi, YUAN Rui-chang, WANG Bo, YAN Hui. Effects of Film Thickness on Field Emission from Semiconductor Films[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(2): 256-262 DOI：

考虑到薄膜中的电子散射

发展与完善了现有的场发射F-N(Fowler-Nordheim)模型

理论研究了不同厚度的半导体薄膜对其场发射性能的影响。结果表明:薄膜厚度对场发射性能的影响是非常显著的

随着薄膜厚度的增加

将相继出现极差膜厚值与最佳膜厚值

理论计算很好地验证了已有的实验结果;并进一步理论分析了半导体薄膜场发射性能随膜厚变化行为的物理实质

其可能来源于有效隧穿势垒面积的改变及电流密度在薄膜中的散射衰减。

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