蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管

王伟; 石家纬; 郭树旭; 刘明大; 张宏梅; 梁昌; 全宝富; 马东阁

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- 蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管
- All-organic Thin-film Field-effect Transistors Fabricated by Fully-evaporation
- 发光学报 2007年28卷第2期页码：203-206
- 作者机构：
  
  1. 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室
  2. 中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(60176022)();吉林省自然科学基金(20020634)();国家“973”计划(2003CB314703)资助项目()
- DOI：
  中图分类号： TN386
- 收稿：2005-08-25，
  
  修回：2006-11-24，
  
  纸质出版：2007-03-20
- 稿件说明：
移动端阅览
王伟, 石家纬, 郭树旭, 刘明大, 张宏梅, 梁昌, 全宝富, 马东阁. 蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管[J]. 发光学报, 2007,28(2): 203-206

WANG Wei, SHI Jia-wei, GUO Shu-xu, LIU Ming-da, ZHANG Hong-mei, LIANG Chang, QUAN Bao-fu, MA Dong-ge. All-organic Thin-film Field-effect Transistors Fabricated by Fully-evaporation[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(2): 203-206
王伟, 石家纬, 郭树旭, 刘明大, 张宏梅, 梁昌, 全宝富, 马东阁. 蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管[J]. 发光学报, 2007,28(2): 203-206 DOI：

WANG Wei, SHI Jia-wei, GUO Shu-xu, LIU Ming-da, ZHANG Hong-mei, LIANG Chang, QUAN Bao-fu, MA Dong-ge. All-organic Thin-film Field-effect Transistors Fabricated by Fully-evaporation[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(2): 203-206 DOI：

摘要

以全蒸镀方法在真空室内一次性制备了正装结构的全有机并五苯薄膜场效应晶体管。正装结构全蒸镀法有利于简化工艺制备程序

缩小器件尺寸

提高集成度。制备的绝缘层厚度仅为50nm的全有机薄膜场效应晶体管

器件的工作电压降至10V

相同电压下饱和输出电流有了明显提高。筛选适当的有机绝缘材料

改善全有机薄膜场效应晶体管有源层/绝缘层的界面性能

使阈值电压几乎降至0V

场效应迁移率提高了3倍多

输出饱和电流也有了明显的提高。

Abstract

关键词

Keywords

references

浏览量

190

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

CaYAl3O7∶Eu2+，Eu3+，Tb3+的多模式应力发光性能及颜色调控

Tb3+→Sm3+能量传递调控的多色应力发光材料及其动态防伪应用

（Ga/Al）4GeO8∶Cr3+荧光粉的多格位超宽带近红外发光

基于混合波导-表面等离极化激元结构的胶体量子点放大自发发射性能研究

一氧化碳荧光探针构建及其动物细菌性肺炎和植物抗镉污染成像研究

蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管

All-organic Thin-film Field-effect Transistors Fabricated by Fully-evaporation

DOI：

摘要

Abstract

关键词

Keywords

references